مهندسی ساختار ترانزیستور های اثر میدانی تونلی مبتنی بر نانو نوار گرافین

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 مهندسی ساختار ترانزیستور های اثر میدانی تونلی مبتنی بر نانو نوار گرافین دارای ۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مهندسی ساختار ترانزیستور های اثر میدانی تونلی مبتنی بر نانو نوار گرافین  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مهندسی ساختار ترانزیستور های اثر میدانی تونلی مبتنی بر نانو نوار گرافین،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مهندسی ساختار ترانزیستور های اثر میدانی تونلی مبتنی بر نانو نوار گرافین :

تعداد صفحات :۶

چکیده مقاله:

دراین مقاله با استفاده از آلایش الکتریکی قسمتی از ناحیه درین، ساختار اصلاح شدهای به منظور کاهش جریان خاموشی و اصلاح رفتارAmbipolarترانزیستورهای تونلی متعارف مبتنی بر GNRارائه شده است. ساختار جدید دارای دو گیت است. گیت اصلی وظیفه کنترل پتانسیل کانال را بر عهده دارد و گیت کناری دارای یک ولتاژ ثابت بوده و بر روی قسمتی از ناحیه درین قرار گرفته است. ناحیه ای از درین که گیت روی آن قرار گرفته، ذاتی بوده و آلایش این ناحیه به صورت الکتریکی از طریق گیت صورت میپذیرد. شبیه سازی در حالت بالستیک و با استفاده از روال تابع گرین غیرتعادلیNEGF و در فضای مد انجام شده است. نتایج حاصله نشان می دهد که ساختار فوق از جریان خاموشی کمتر و نسبت جریان روشنی به خاموشی(ION/IOFF) بسیاربیشتری نسبت به ساختار متداول برخوردار است، ضمن آنکه سوئینگ زیرآستانه که از مشخصات مهم ساختارهای تونلی میباشد، خراب نشده است