طراحی تقویت کنننده کم نویز به روش حذف نویز با بهره بالا و تطبیق امپدانس خروجی DB 27- در فناوری CMOS

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 طراحی تقویت کنننده کم نویز به روش حذف نویز با بهره بالا و تطبیق امپدانس خروجی DB 27- در فناوری CMOS دارای ۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد طراحی تقویت کنننده کم نویز به روش حذف نویز با بهره بالا و تطبیق امپدانس خروجی DB 27- در فناوری CMOS  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی طراحی تقویت کنننده کم نویز به روش حذف نویز با بهره بالا و تطبیق امپدانس خروجی DB 27- در فناوری CMOS،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن طراحی تقویت کنننده کم نویز به روش حذف نویز با بهره بالا و تطبیق امپدانس خروجی DB 27- در فناوری CMOS :

تعداد صفحات :۹

چکیده مقاله:

در دهه اخیر سیستمهای الکترونیکی رشد فوق العاده ای داشته اند. سرعت بالای پیشرفت در مخابرات بی سیم؛ دسترسی به شبکه های جهانی اینترنت و همچنین افزایش نیاز و تقاضای انتقال اطلاعات با سرعت بالا این پیغام را می دهد که برای دستیابی به سیستمهای الکترونیکی نسل بعد؛ باید گامهای بزرگ و سریع برداشته شودد هر صورت برای امواج رادیویی وجود یک گیرنده و فرستنده برای تولید و انتشار امواج ودریافت و تفکیک ان ضروری است. در این مقاله با استفاده از نرم افزار ADS مدار تقویت کننده ی کم نویز با استفاده از فیدبک با ساختار وارونگر مقاومتی در فناوری CMOS 0/13 طراحی و شبیهسازی می گردد. و به کمک روش حذف نویز؛ مقدار عدد نویز مدار کاهش می یابد از دیگر ویژگی های این تقویت کننده کم نویز داشتن بهره و تطبیق خروجی مناسب می باشد.