مقاله توسعه مدارات کلید زنی مبتنی بر VLT به منظور بهبود بهره ولتاژ مبدل

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله توسعه مدارات کلید زنی مبتنی بر VLT به منظور بهبود بهره ولتاژ مبدل دارای ۷ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله توسعه مدارات کلید زنی مبتنی بر VLT به منظور بهبود بهره ولتاژ مبدل  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله توسعه مدارات کلید زنی مبتنی بر VLT به منظور بهبود بهره ولتاژ مبدل،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله توسعه مدارات کلید زنی مبتنی بر VLT به منظور بهبود بهره ولتاژ مبدل :

چکیده:

در این مقاله توسعه سلول های VLT (نوع ولتاژ بالابرنده) بررسی شده است . مدار پیشنهادی ، به منظور بهبود افزایش توانایی های متداول مبدل های DC-DC نسبت به مدارات قبلی طراحی شده است. در این مقاله از سه سلول سوئیچ شونده )SLبالابرنده) استفاده شده است. هر دو حالت CCM وDCM در این مدار مورد بحث قرار گرفته است.

نتایج تئوری توسط شبیه سازی اثبات شده است .

واژه های کلیدی: VLT وDCM (مد هدایت گسسته)و CCM

(مد هدایت پیوسته)وSL

.۱مقدمه :

تغییر مبدل قدرت DC-DC به طور گسترده در بسیاری از برنامه های صنعتی مدرن ، مانند سیستم های انرژی تجدید پذیر، پشتیبانی سیستم باتری برای منابع تغذیه اضطراری کاربرد دارد. چرخه کار بالا باعث اختلال در کارایی و مانعی برای پاسخ گذرا می شود. همچنین برای تولید چنین چرخه کار بالا ، مدار کنترل باید خیلی سریع عمل کند. مبدل DC-DC ممکن است توسط اضافه کردن ترانسفورماتور یا با اتصال کاسکد برای به دست آوردن ضریب تبدیل ولتاژ مورد

توسعه یابد، اما با این حال استفاده از ترانسفورماتور در کاربردهای صنعتی برای تجزیه DC به دلیل افزایش هزینه و حجم و زیان، نیاز نیست. علاوه بر این یک ترانسفورماتور بزرگ نسبت تمایل ریپل ولتاژ در عنصر اصلی را افزایش می دهد. مبدل کاسکد نیز از نظر تبدیل انرژی ، اقتصادی و کارآمد نیست. بنابراین در سال های اخیر مدارات مختلف با راه اندازی افزایش توانایی خود، بهبود یافته اند.[۱ – ۴ ]

سلول های دارای سلف سوییچ شونده از نوع ولتاژ بالابرنده برای بهبود قابلیت افزایش ولتاژ DC-DC که در [۱] اشاره شده است.

یکی از روش های نسبتا رایج برای ساختن مبدل های DC-DC

گین بالا ، استفاده از روش های سوئیچینگ خازنی است. [۲ ] سوئیچ های خازنی و سلفی برای داشتن مبدل های بالابرنده ترکیبی DC-DC که در[۳] توضیح داده شده است. مبدل های DC-DC با گین ولتاژ در [۴] ارائه شده است. مبدل ترکیبی سوئیچ های سلفی برای ولتاژ بالا که در [۵] اشاره شده است . یک سری از سلول های SL

جدید ولتاژ بالا برنده با تقویت توانایی DC-DC تولید شده است.آنها را می توان بر پایه مبدل DC-DC برای ارائه بهره های ولتاژ بالا به کاربرد. POEL (عنصر خروجی مثبت ( LUO برای نشان دادن ویژگی مدار از نوع ولتاژ بالابرنده VLT سلول SL استفاده شده است. برای هر یک از اجزای X در این مقاله، جریان و ولتاژ لحظه ای را به عنوان ix و vx در نظر گرفته و جریان و ولتاژ متوسط در طول چرخه سوئیچینگ در حالت پایدار IX و VX بیان شده اند. برای توصیف کلی هر جزء ایده آل است و توان خروجی برابر توان ورودی است .VOIO=VinIin بار نرمال به عنوانZN=R/ƒL مشخص شده است. که ƒ به عنوان فرکانس سوئیچینگ(/T1(ƒ = است. چرخه کار

۱

اولین همایش منطقه ای برق و فناوریهای نوین دانشکده فنی و حرفه ای سما اردبیل- شهریور۱۳۹۴

سوئیچ به عنوان K نشان داده شده است(۱<K<0).. هر پارامت با زیر نویس B مقدار مرز بین حالت انتقال پیوسته (CCM) و حالت

انتقال گسسته((DCM را نشان می دهد.

.۲ مبدل ترکیبیPOEL با سه سلول بالابرنده : SL

ترکیب سه سلول بالابرنده SL درون مبدل POEL و تولید توپولوژی ترکیبی جدید ، همان طور که در شکل ۱ aنشان داده شده است

.مدار معادل هنگام قطع و وصل سوئیچ که در شکل های ۱ b ,cنشان داده شده است . S سوئیچ اصلی مبدل وS1 و S0 سوئیچ کمکی هستند.

شکل ۱مبدل ترکیبی POEL باسه سلول SL بالابرندهa شکل کامل

b در طول دوره سوئیچینگ ،سوئیچ اصلی روشن TON و سوئیچ های کمکی خاموش

c در طول دوره سوئیچینگ، سوئیچ اصلی خاموش TOFF و سوئیچ های کمکی روشن

DCM d

۲,۱ تجزیه و تحلیل CCM

هنگامی که S روشن و S0 خاموش است.D بایاس معکوس است.۱D 2D 3D 4D 5Dوصل ،. ۱C 2C 3C و۱L 2L 3L 4L به
صورت موازی هستند. L4 L3 L2 L1 باهم برابراند (به عنوان
مثال=iL1= iL2= iL3= iL4iL و L4= L3= L 2= L1=L ) هر چهار

سلف انرژی را از منبع جذب می کنند. در بعضی از مواقع L0 انرژی خود را از منبع و خازن C جذب می کند، همچنین ولتاژ C کاهش می یابد. هر دو جریان iL,iLO افزایش و C3 C2 C1 دشارژ می شوند.

وقتی S خاموش و S0 وS1روشن است. D5 D4 D3 D2 D1 بایاس معکوس هستند. C3 C2 C1 وL4 L3 L2 L1 به صورت سری هستند.
جریان iL از D عبور کرده و C شارژ می شود. C3 C2 C1 وL3 L2 L1

L4 انرژی ذخیره شده خود را به خازن C می دهند.گاهی اوقات جریان iLO از CO-R مدار پیروی می کند ودیود D همچنان وصل باقی می ماند. هردوجریان iL,iLO کاهش و C3 C2 C1 دشارژ می شود .و ولتاژ خازن C افزایش می یابد . هنگام که سوئیچ وصل است

L4 L3 L2 L1 که به موازات Vin هستند شارژ می شوند ، پس ۱iL =2= iL3= iL4iL افزایش می یابند. هنگام قطع سوئیچ ، آنها سری هستند و توسط –VC1+ VC2+VC3VCشارژ می شوند.