مقاله بررسی خواص ترابردی الکترونها در نیمرسانای InAs در میدانهای الکتریکی ضعیف

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله بررسی خواص ترابردی الکترونها در نیمرسانای InAs در میدانهای الکتریکی ضعیف دارای ۳ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی خواص ترابردی الکترونها در نیمرسانای InAs در میدانهای الکتریکی ضعیف  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی خواص ترابردی الکترونها در نیمرسانای InAs در میدانهای الکتریکی ضعیف،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسی خواص ترابردی الکترونها در نیمرسانای InAs در میدانهای الکتریکی ضعیف :

تعداد صفحات:۳

چکیده:

در این مقاله تحرک پذیری الکترونها در نیمرسانای InAs با حل مستقیم معادله ترابری بولتزمن به روش تکرار محاسبه و بستگی تحرک پذیری به دما و اتمهای یونیده مطالعه و با نیمرسانای GaAs مقایسه شده است . در محاسبه تحرک پذیری پراکندگی از فونونهای اکوستیکی پتانسیل تغییر شکل ، پیزوالکتریک ، اتمهای یونیده و فونونهای اپتیکی قطبی برای یک نوار رسانش غیرسهموی با توابع موج ترکیبی در نظر گرفته شده است .
محاسبات ما نشان می دهد که تحرک پذیری الکترونها در دماهای بالاتر از ۵۰ K به دلیل افزایش آهنگ پراکندگی از فونونها به شدت کاهش می یابد و در دماهای پایین اثر غالب در کاهش تحرک پذیری ناشی از پراکندگی از مراکز ناخالصی است . نتایج محاسبات با داده های تجربی و محاسبه با تقریب زمان واهلش که در مقالات منتشر شده مقایسه شده است و توافق خوبی بین نظریه و تجربه را نشان می دهد