دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور نانو ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه جهت بهینه سازی میدان الکتریکی نفوذی درین و کاهش اثر (DIBL)
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
نانو ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه جهت بهینه سازی میدان الکتریکی نفوذی درین و کاهش اثر (DIBL) دارای ۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد نانو ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه جهت بهینه سازی میدان الکتریکی نفوذی درین و کاهش اثر (DIBL) کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی نانو ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه جهت بهینه سازی میدان الکتریکی نفوذی درین و کاهش اثر (DIBL)،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن نانو ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه جهت بهینه سازی میدان الکتریکی نفوذی درین و کاهش اثر (DIBL) :
تعداد صفحات :۹
چکیده مقاله:
یک ساختار سیلیکون روی الماس برای بهبود اثر DIBL (کاهش سد پتانسیل ناشی از درین)معرفی شده است. نفوذ میدان الکتریکی در عایق از بین رفته الماس اثر DIBL را کاهش می دهید.در ساختار جدید، ماده دوم با عایق مضاعف مثل (SIO(2 ، روی عایق زیرین اضافه شده و تا اندازه ایالماس را پوشش می دهد. ماده عایق دوم، گذردهی الکتریکی پایینی دارد. ازاینرو ظرفیت الکتریکیمیدان حاشیه ای کوچک تر است. نتایج شبیه سازی ترانزیستور سیلیکون در الماس ۲۲ نانومتری،بهبود ۱۸ درصدی را برای اثر DIBL در مقایسه با ساختار مرسوم سیلیکون روی الماس (SOD)نشان می دهد، افزایش ۵ درصدی دمای شبکه در ساختار جدید نسبت به SOD مرسوم مشاهده شد.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
