مقاله محاسبه بزرگی میدان الکتریکی داخلی کلی در ساختارهای ناهمگون GaN/InxGa1-x N با تبلور ورتسایت

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله محاسبه بزرگی میدان الکتریکی داخلی کلی در ساختارهای ناهمگون GaN/InxGa1-x N با تبلور ورتسایت دارای ۷ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله محاسبه بزرگی میدان الکتریکی داخلی کلی در ساختارهای ناهمگون GaN/InxGa1-x N با تبلور ورتسایت  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله محاسبه بزرگی میدان الکتریکی داخلی کلی در ساختارهای ناهمگون GaN/InxGa1-x N با تبلور ورتسایت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله محاسبه بزرگی میدان الکتریکی داخلی کلی در ساختارهای ناهمگون GaN/InxGa1-x N با تبلور ورتسایت :

تعداد صفحات:۷

چکیده:

در ساختارهای چند لایه ای از نیمرساناها کرنشهای درونی ساختار که غالبا در سطح مشترک لایه ها تولید می شوند دارای آثار پیزوالکتریکی هستند. در این ساختارها به سبب ناهمسانگردی بلور و نیز ناهمسانگردی نیروهای ناشی از کرنش که بلور را تحت تاثیر قرار می دهند، هم کرنش وهم پیزوالکتریک هر کدام بصورت یک تانسور ظاهرمی شوند. ما در این مقاله ابتدا بردار قطبش الکتریکی را از حاصلضرب این دو تانسور بدست آورده سپس میدان پیزوالکتریکی را بر حسب تغییرات کسر مولی ایندیم در ساختار چاههای کوانتمی چندگانه GaN/I مقاله محاسبه بزرگی میدان الکتریکی داخلی کلی در ساختارهای ناهمگون GaN/InxGa1-x N با تبلور ورتسایتGa1-xN محاسبه نمودیم. در ساختارهای بلوری ورتسایت این نیمرساناها علاوه بر میدان پیزوالکتریکی میدان الکتریکی دیگری نیز بطور ذاتی وجود دارد که به میدان خود بخودی موسوم است. این میدان بنابر شرایط رشد میتواند همسو یا ناهمسو با میدان پیزوالکتریکی باشد. ما همچنین میدان الکتریکی کل را که برآیند این دو میدان است برای یک نوع از این ساختارها محاسبه نموده ایم.