افزاره آی ماس با ساختار نوار مهندسی شده (ناهمگون)

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 افزاره آی ماس با ساختار نوار مهندسی شده (ناهمگون) دارای ۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد افزاره آی ماس با ساختار نوار مهندسی شده (ناهمگون)  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی افزاره آی ماس با ساختار نوار مهندسی شده (ناهمگون)،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن افزاره آی ماس با ساختار نوار مهندسی شده (ناهمگون) :

سال انتشار : ۱۳۹۶

نام کنفرانس، همایش یا نشریه : مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران – الف مهندسی برق

تعداد صفحات :۹

الگوی جدیدی برای افزاره آی ماس با ساختار نوار مهندسی شده (ناهمگون) پیشنهاد و شبیه سازی شده است. با توجه به این که ناحیه ذاتی در یک آی ماس نقش کنترل کننده فرایند تونل زنی نوار به نوار را ایفا می کند و ساز و کار غالب تولید حامل درون این ناحیه یونش برخوردی است، در الگوی پیشنهادی فرض شده که ماده تشکیل دهنده ناحیه ذاتی از جنس SixGe1-x (0.5£x£۱) باشد و اندازه گاف نوار آن از اندازه گاف Si در لبه سورس تا گاف Si0.5Ge0.5 در لبه گیت به طور خطی تغییر کند. این امر سبب می شود تا بزرگ ترین اختلاف در گاف نوار الگوی پیشنهادی برابر Dec=Dec=0.32eV در فصل مشترک سورس و ناحیه ذاتی پدیدار شود و از احتمال وقوع تونل زنی نوار به نوار و در نتیجه از اندازه جریان خاموش بکاهد. نتایج عددی نشان می دهد ولتاژ شکست برای آی ماس ناهمگون پیشنهادی نسبت به یک ساختار آی ماس همگون از جنس Si0.5Ge0.5 با ابعاد مشابه، به اندازه ۰.۳V و جریان خاموش آن حدود چهار برابر کاهش یافته است.

کلید واژه: آی ماس، تونل زنی نوار به نوار، ولتاژ شکست، یونش برخوردی، نسبت جریان روشن به خاموش