دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور افزایش راندمان سلول خورشیدی CdTe/CdS با استفاده از لایه ی انباشت اکسیدSnO2 در مقایسه با لایه ی ZnO
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
افزایش راندمان سلول خورشیدی CdTe/CdS با استفاده از لایه ی انباشت اکسیدSnO2 در مقایسه با لایه ی ZnO دارای ۱۴ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد افزایش راندمان سلول خورشیدی CdTe/CdS با استفاده از لایه ی انباشت اکسیدSnO2 در مقایسه با لایه ی ZnO کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی افزایش راندمان سلول خورشیدی CdTe/CdS با استفاده از لایه ی انباشت اکسیدSnO2 در مقایسه با لایه ی ZnO،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن افزایش راندمان سلول خورشیدی CdTe/CdS با استفاده از لایه ی انباشت اکسیدSnO2 در مقایسه با لایه ی ZnO :
تعداد صفحات :۱۴
چکیده مقاله:
ایجاد لایه ی اکسید انباشته ی SnO2 به عنوان بافر در سلول خورشیدی CdTe/CdS و همچنین مقایسه ی آن با لایه ی ZnO از جنبه های نو این پژوهش می باشد. جایگزینی لایه ی اکسید شفاف SnO2 با ضخامت ۶۰ نانومتری و شبیه سازی در محیط نرم افزاری کامسول، به ولتاژی بهتر از دو حالت قبل یعنی ۰/۶۵ ولت در مقایسه با ۰/۴۶ ولت حاصل از به کارگیری لایه ی ZnO دست یافتیم.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
