یک تقویت کننده عملیاتی بهره بالا و ولتاژ پایین بهبود یافته با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنی ( CNTFET)

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 یک تقویت کننده عملیاتی بهره بالا و ولتاژ پایین بهبود یافته با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنی ( CNTFET) دارای ۱۲ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد یک تقویت کننده عملیاتی بهره بالا و ولتاژ پایین بهبود یافته با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنی ( CNTFET)  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی یک تقویت کننده عملیاتی بهره بالا و ولتاژ پایین بهبود یافته با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنی ( CNTFET)،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن یک تقویت کننده عملیاتی بهره بالا و ولتاژ پایین بهبود یافته با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنی ( CNTFET) :

تعداد صفحات :۱۲

چکیده مقاله:

با کاهش ویژگی اندازه در حوزه نانو، تکنولوژی CMOS با مشکلات و چالش هایی جدی مانند چگالی توان بالا، کاهش کنترل گیت، اثرات کانال کوتاه و حساسیت بالا تغییرات پروسه مواجه شده است. ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربنی (CNTFET) به عنوان یکی از جانشینان احتمالی برای تکنولوژی MOSFET معمولی مبتنی بر سیلیکون می باشد. در این مقاله، طراحی و شبیه سازی تقویت کننده عملیاتی بهره بالا و توان پایین براساس ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنی با نرم افزار HSPICE و تکنولوژی ۳۲ نانومتر CMOS و CNTFET به انجام رسیده است. یک ساختار تقویت کننده عملیاتی جدید مبتنی بر نانو لوله های کربنی پیشنهاد شده و با تقویت کننده عملیاتی CMOS مرسوم مقایسه شده است. مشاهده شد که تقویت کننده عملیاتی مبتنی بر نانو لوله های کربنی عملکرد بالایی در مقایسه با تقویت کننده عملیاتی CMOS دارد. برای طرح پیشنهادی با ولتاژ تغذیه ۰/۹ ولت، بهره ۷۷/۸۷ دسی بل و فرکانس بهره واحد ۷/۲۳ مگاهرتز بدست آمد. با مقایسه طرح پیشنهادی با تقویت کننده مرسوم مشاهده کردیم که بهره در طرح پیشنهادی به اندازه ۴/۱۹ دسی بل بهبود یافته و فرکانس بهره واحد نیز به اندازه ۱/۵۲ برابر افزایش یافته است.