دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده عملیاتی با بهره ولتاژ بالا و توان مصرفی پایین با استفاده از تکنولوژی ۱۸۰ نانومتر
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده عملیاتی با بهره ولتاژ بالا و توان مصرفی پایین با استفاده از تکنولوژی ۱۸۰ نانومتر دارای ۱۰ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده عملیاتی با بهره ولتاژ بالا و توان مصرفی پایین با استفاده از تکنولوژی ۱۸۰ نانومتر کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده عملیاتی با بهره ولتاژ بالا و توان مصرفی پایین با استفاده از تکنولوژی ۱۸۰ نانومتر،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده عملیاتی با بهره ولتاژ بالا و توان مصرفی پایین با استفاده از تکنولوژی ۱۸۰ نانومتر :
تعداد صفحات :۱۰
چکیده مقاله:
یکی از کاربردیترین بلوکهای به کار رفته در سیستمهای آنالوگ و سیگنال مخلوط، تقویتکنندههای عمیاتی میباشند. تقویت کنندههای عملیاتی همهمنظوره میتوانند به عنوان جمعکننده، مشتقگیر، انتگرالگیر، بافر ، مقایسهکننده ، مبدل امپدانس منفی و سایر کاربردها استفاده شوند. در این مقاله ، طراحی و شبیهسازی یک تقویتکننده عملیاتی جدید با بهره بالا و توان پایین مبتنی بر ترانزیستورهای ماسفت با نرم افزار HSPICE و تکنولوژی ۱۸۰ نانومتر به انجام رسید. مشخصات اصلی تقویتکننده پیشنهادی با ولتاژ تغذیه ۸/۱ ولت، بهره ۹۶ دسی بل، حاشیه فاز ۶۰ درجه، سویینگ خروجی ۸/۱ ولت، سرعت تغییرات خروجی ۵ ولت بر میکروثانیه، فرکانس بهره واحد ۸۲ مگاهرتز با خازن بار ۱ پیکو فاراد بدست آمد. همچنین توان مصرفی این تقویتکننده عملیاتی برابر ۳۰۴ میکرو وات می باشد.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
