شبیه سازی تقویت کننده های امپدانس انتقالی با محدوده دینامیکی گسترده

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 شبیه سازی تقویت کننده های امپدانس انتقالی با محدوده دینامیکی گسترده دارای ۲۰ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد شبیه سازی تقویت کننده های امپدانس انتقالی با محدوده دینامیکی گسترده  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی شبیه سازی تقویت کننده های امپدانس انتقالی با محدوده دینامیکی گسترده،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن شبیه سازی تقویت کننده های امپدانس انتقالی با محدوده دینامیکی گسترده :

تعداد صفحات :۲۰

چکیده مقاله:

یکی از مشکلات تقویت کننده های امپدانس انتقالی طراحی با رنج دینامیکی ورودی بالا و بهره مناسب می باشد. سیستم تقویت کننده مبتنی بر معکوس کننده جریان نویز ورودی را کاهش و پایداری مدار را افزایش می دهد. در این راستا می توان به پیشنهاد آقای محمد آتف اشاره کرد. در این مقاله علمی ترویجی یک تقویت کننده امپدانس انتقالی با ورودی دینامیکی بالا، تحت تکنولوژی ۱۳۰nm CMOS مورد ارزیابی قرار گرفته است. TIA پیشنهادی در واقع، یک معکوس کننده با یک دیود متصل به NMOS و یک گیت کنترل شده با بارهای PMOS است که بصورت آبشاری به معکوس کننده متصل می شود. مزیت استفاده از تقویت کننده مبتنی بر معکوس کننده، این است که با افزایش امپدانس انتقالی بصورت حاصل جمع امپدانسهای انتقالی دو ترانزیستور، جریان نویز ورودی کاهش داده می شود. با استفاده از مداربندی فشرده سازی بهره، برای کاهش بهره امپدانس انتقالی با افزایش توان نوری ورودی، مسیله پایداری به مسیله ای بحرانی تبدیل خواهد شد. در ادامه به مراحلی که باعث پایداری مدار میشود خواهیم پرداخت .فشرده سازی قانون مربع NMOS جریان نوری را تا ۱۰mA افزایش می دهد. این TIA دارای یک ورودی مجتمع است که اشاره به جریان نویز ۱۳۵nA و پهنای باند ۲۲۷MHz دارد. این TIA، بهره امپدانس انتقالی ۵۹dB و محدوده دینامیکی ۹۷dB را از خود نشان می دهد. این TIA از یک منبع ولتاژ ۱.۵V، جریان ۲.۳mA می کشد.