دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور شبیه سازی ترانزیستور ISFET دو گیتی (DGMOSFET)
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
شبیه سازی ترانزیستور ISFET دو گیتی (DGMOSFET) دارای ۱۷ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد شبیه سازی ترانزیستور ISFET دو گیتی (DGMOSFET) کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی شبیه سازی ترانزیستور ISFET دو گیتی (DGMOSFET)،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن شبیه سازی ترانزیستور ISFET دو گیتی (DGMOSFET) :
تعداد صفحات :۱۷
چکیده مقاله:
ترانزیستورهای اثر میدانی حساس به یون،در یک حسگر شیمیایی متداول هستند. با این وجود، در اثر شارش صفحه ای، حساسیت دستگاه به طور قابل توجهی کاهش می یابد. وابستگی لگاریتمی بین بار حاضر در سطح الکترولیت عایق و بار منتقل شده با بازتاب آینه ای در کانال هدایت، حساسیت ISFET1 ایده آل معمولی را به ۵۹.۲ mV/pH محدود می سازد که به عنوان حد نرنستین نیز شناخته می شود. استفاده از اثر دو گیتی بر فناوری سیلیکون روی عایق SOI موجب بهبود حساسیت ISFET می گردد. ساختارهای آزمون MOSFET به طور کلی همراه با ISFETها در یک ویفر ساخته می شوند. در این مقاله، یک SOI MOSFET دو گیتی که به طور تقریبی کاملا تخلیه شده است (NFD) را با شبیه سازی رفتار آن در ابزار TCAD SILVACO™ و اعتبارسنجی آن با نتایج آزمون NFDSOI MOSFET ساخته شده نشان می دهیم. مشاهده می شود که با اعمال یک پتانسیل به گیت پشتی، می توان ولتاژ آستانه و جریان درین ترانزیستور را کنترل نمود.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
