بهبود پارامترهای الکترونیکی نانو سیم های سیلیکونی با افزودن ناخالصی فسفر و آرسنیک

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 بهبود پارامترهای الکترونیکی نانو سیم های سیلیکونی با افزودن ناخالصی فسفر و آرسنیک دارای ۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد بهبود پارامترهای الکترونیکی نانو سیم های سیلیکونی با افزودن ناخالصی فسفر و آرسنیک  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی بهبود پارامترهای الکترونیکی نانو سیم های سیلیکونی با افزودن ناخالصی فسفر و آرسنیک،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن بهبود پارامترهای الکترونیکی نانو سیم های سیلیکونی با افزودن ناخالصی فسفر و آرسنیک :

نام کنفرانس، همایش یا نشریه : مواد و فناوری های پیشرفته

تعداد صفحات :۹

در این مقاله به منظور بهبود پارامترهای الکترونیکی نانوسیم های سیلیکونی، اثر اضافه کردن اتم ناخالصی آرسنیک و فسفر بررسی شده است. پارامترهای بررسی شده شامل طیف انتقال، قابلیت تحرک، طول آزاد میانگین و ساختار باند انرژی می باشد. جهت بررسی رسانایی و قابلیت تحرک نانوسیم های سیلیکونی، انتقال در طول نانوسیم های بلند در حضور تعداد زیادی ناکاملی (مانند ناخالصی، جای خالی، بی نظمی و ناهمواری های سطحی) مورد بررسی قرار گرفته است. در این مقاله به منظور انجام محاسبات ساده تر، نانوسیم های با طول کوتاه و ناکاملی های جزیی مطالعه شده است. از اینرو نانوسیم های با طول محدود را یک بار با افزودن فسفر و بار دیگر با افزودن آرسنیک، آلایش داده و نتایج حاصل از شبیه سازی تحلیل گردید. شبیه سازی با استفاده از نرم افزار QuantumWise انجام شده است. نتایج به دست آمده نشان می دهند که با اضافه شدن ناخالصی های آرسنیک و فسفر به نانوسیم های سیلیکونی، طیف انتقال برحسب انرژی، افزایش می یابد. قابلیت تحرک برای چگالی های بار الکترون بیش از ۱۰۱۸cm-3 کاهش یافته، درحالی که در چگالی های کمتر از این مقدار، تقریبا ثابت می ماند.

کلید واژه: نانوسیم سیلیکونی، طیف انتقال، طول آزاد میانگین، قابلیت تحرک