بررسی ورقه های سیلیکونی (۱۱۱) و مقایسه آن با زیر لایه های سیلیکونی (۱۰۰)

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 بررسی ورقه های سیلیکونی (۱۱۱) و مقایسه آن با زیر لایه های سیلیکونی (۱۰۰) دارای ۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد بررسی ورقه های سیلیکونی (۱۱۱) و مقایسه آن با زیر لایه های سیلیکونی (۱۰۰)  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی بررسی ورقه های سیلیکونی (۱۱۱) و مقایسه آن با زیر لایه های سیلیکونی (۱۰۰)،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن بررسی ورقه های سیلیکونی (۱۱۱) و مقایسه آن با زیر لایه های سیلیکونی (۱۰۰) :

نام کنفرانس، همایش یا نشریه : پژوهش فیزیک ایران

تعداد صفحات :۶

در نانو ترنزیستورهای دهه اخیر، Si(100) به عنوان یک زیرلایه یا بستر مناسب به کار می رود. مسائلی نظیر افزایش جریان تونلی و نشتی با کاهش اندازه قطعات الکترونیکی و بویژه ترانزیستورهای اثر میدانی سبب شده است تا امکان به کارگیری بیشتر آن مورد تردید قرار گیرد. به همین دلیل در کار حاضر تلاش شده است تا با انجام یک سری از آزمایشات و رشد فیلم های فرانازک بر روی هر دو زیرلایه Si(100) و Si(111) به بررسی نانوساختاری فیلم های مزبور پرداخته و امکان جایگزینی Si(100) با Si(111) مورد مطالعه قرار گیرد. نتایج به دست آمده در کار حاضر نشان می دهد که Si(111) با درگاه دی الکتریک های نیتریدی مناسب تر است.

کلید واژه: نانوترانزیستورها، درگاه دی الکتریک، زیرلایه سیلیکونی و تکنیک طیف نمایی فتوگسیلی