مطالعه کاربردی میدان مغناطیسی چگال تهی از جرم جهت طراحی مکانیزم جدید تولید پرتو ایکس

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 مطالعه کاربردی میدان مغناطیسی چگال تهی از جرم جهت طراحی مکانیزم جدید تولید پرتو ایکس دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مطالعه کاربردی میدان مغناطیسی چگال تهی از جرم جهت طراحی مکانیزم جدید تولید پرتو ایکس  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مطالعه کاربردی میدان مغناطیسی چگال تهی از جرم جهت طراحی مکانیزم جدید تولید پرتو ایکس،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مطالعه کاربردی میدان مغناطیسی چگال تهی از جرم جهت طراحی مکانیزم جدید تولید پرتو ایکس :

نام کنفرانس، همایش یا نشریه : مجله دانشگاه علوم پزشکی ارتش جمهوری اسلامی ایران (annals of military and health sciences research)

تعداد صفحات :۵

سابقه و هدف: این طرح با هدف شناسایی کلیه پارامترهای موثر بر میدان مغناطیسی محدود جهت کنترل آنها به منظور افزایش بازدهی تولید، گسترش کاربرد، سهولت عملکرد وکاهش هزینه های تولید بوده است. مواد و روشها: برای اجرای این تحقیق محاسبه دقیق اجزای تشکیل دهنده میدان مغناطیسی چگال صورت پذیرفته و به شرح زیر به اجرا در آمد:یک محفظه خلا ۱۰-۲ mm/Hg که در داخل آن سیم لوله های هم محور لایه به لایه قرار دارند تشکیل شده، سیم لوله ها از خارج با قطر ۳۲cm و قطر سیم ۶mm شروع شده و تا ۹ لایه ادامه یافته، داخلی ترین لایه قطر سیم ۱mm و قطر سیمهایش ۰.۲mm است، سیم لوله ها در طول هر ۵cm منقطع شده و جمع طولشان ۴۰cm است، فاصله بین دو شکاف ده برابر قطر سیمهاست.یافته ها: الکترونها از شتابدهنده در دو جهت E و F وارد محور مرکزی سیم لوله ها (سیم لوله یک میلی متری داخلی) شده و قطب S میدان سیم لوله ها در سمت شتابدهنده قرار می گیرد، انحراف ۱۸۰ درجه ای الکترونها در مقابله با F موجب از دست دادن قسمت مهمی از انرژی جنبشی آنها به صورت فوتونهای ایکس می گردد.نتیجه گیری و توصیه ها: اشعه تولید شده بصورتr2 4 منتشر شده و مقدار پرتو توسط دزیمترهایی که در فواصل خالی طولی سیم پیچ ها قرار داشت اندازه گیری شد. مقدار پرتو ایکس بطور خالص از اختلاف مقادیر اشعه ایکس و الکترونهای پراکنده بدون فیلتراسون الکترونها با مقادیر اندازه گیری شده با فیلتراسیون الکترونها بدست آمد.

کلید واژه: پرتو ایکس، ظرفیت حرارتی، فاکتورهای تابش، میدان مغناطیسی چگال