حکاکی لایه نازک sio2 وsi3n4


در حال بارگذاری
حکاکی لایه نازک sio2 وsi3n4
11 سپتامبر 2024
فایل ورد و پاورپوینت
2120
3 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 حکاکی لایه نازک sio2 وsi3n4 دارای ۱۷ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد حکاکی لایه نازک sio2 وsi3n4  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز حکاکی لایه نازک sio2 وsi3n42 ارائه میگردد

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی حکاکی لایه نازک sio2 وsi3n4،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن حکاکی لایه نازک sio2 وsi3n4 :

حکاکی لایه نازک sio2 وsi3n4

حکاکی لایه نازک SiO۲

معمولاً بوسیله رقیق کردن یا Buffer کردن HF انجام می شود.

حکاکی های PSG 10 بار سریع تر از اکسید رشد یافته حرارتی می باشد.

حکاکی Anisotropic در مورد Si با استفاده از حکاکی پلاسما به کمک یون در ترکیبی از C۲ F۶ و CH۳F انجام می شود. قابلیت انتخاب روی Si خوب است، امّا روی Si۳N۴ خوب نیست .

حکاکی لایه نازک Si۳N۴

حکاکی کننده تر در دمای H۳PO۴,۱۴۰ – 200OC می باشد. SiO۲ حاصل از لایه نشانی بخار شیمیایی یک ماسک حکاکی خوب است. قابلیت انتخاب روی Si خیلی خوب است.

حکاکی Anisotropic برای Si۳N۴ با استفاده از حکاکی پلاسما به کمک یون ( Ion assisted Plasma etching ) در ترکیبی از C۲F۶ و CH۳F انجام می شود.

در میکروماشینینگ سطحی

در میکرو ماشینینگ توده ای ساختارهای میکرونی به وسیله حکاکی توده ای از ویفر سیلیکون برای دستیابی به نتیجه دلخواه تشکیل می شوند. در میکروماشینینگ سطحی چندین لایه نازک روی ویفری یا هر زیر لایه مناسب دیگر قرار می گیرند. این لایه ها شامل یک ماده بنیادین مثل پلی سیلیکن و یک ماده قربانی ( Sacrifical ) مثل اکسید می باشند. این لایه ها به ترتیب لایه نشانی و حکاکی خشک می شوند. آخر سر ماده قربانی از طریق حکاکی تر حذف می شود. لایه های بیشتر و ساختارهای پیچیده تر باعث سخت شدن فرآیند ساخت می شود. یک میله سگدست میکرو ماشین شده سطحی ساده در شکل ۲ – 40 نشان داده شده است. یک لایه قربانی از اکسید روی سطح ویفر لایه نشانی شده، سپس یک لایه پلی سیلیکن لایه نشانی شده و با استفاده از روش های RIE به یک میله با یک Anchor pad الگو دهی می شود. ( شکل a ). سپس به وسیله یک حکاکی تر لایه اکسید زیر میله برداشته می شود ( شکل b ). Anchor pad از زیر Pad برداشته شود، ویفر از حمام حکاکی بیرون می آید.

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.