دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور بررسی اثر جنس گیت بر مشخصه جریان – ولتاژ ترانزیستور اثر میدان نانوسیم استوانه ای
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
بررسی اثر جنس گیت بر مشخصه جریان – ولتاژ ترانزیستور اثر میدان نانوسیم استوانه ای دارای ۱۰ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد بررسی اثر جنس گیت بر مشخصه جریان – ولتاژ ترانزیستور اثر میدان نانوسیم استوانه ای کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی بررسی اثر جنس گیت بر مشخصه جریان – ولتاژ ترانزیستور اثر میدان نانوسیم استوانه ای،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن بررسی اثر جنس گیت بر مشخصه جریان – ولتاژ ترانزیستور اثر میدان نانوسیم استوانه ای :
تعداد صفحات :۱۰
چکیده مقاله:
در این مقاله ترانزیستور اثر میدان نانوسیم استوانه ای InAs با استفاده از مدل انتقال رانش نفوذ در محیط نرم افزار سیلواکو شبیه سازی شده است. اثر جنس گیت ترانزیستور بر مشخصه های جریان ولتاژ آن مورد بررسی قرار گرفته شده است. نتایج نشان می دهند که برای گیت از جنس مواد عنصری بیشترین اندازه جریان و رسانندگی مربوط به ژرمانیوم می باشد در صورتی که برای گیت از جنس مواد مرکب بهترین نتیجه مربوط به ماده GaN می باشد.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
