دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور دروازه تنظیم پذیر پدیده ممریستور توسط مرز دانه در MoS2 تک لایه
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
دروازه تنظیم پذیر پدیده ممریستور توسط مرز دانه در MoS2 تک لایه دارای ۱۳ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد دروازه تنظیم پذیر پدیده ممریستور توسط مرز دانه در MoS2 تک لایه کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی دروازه تنظیم پذیر پدیده ممریستور توسط مرز دانه در MoS2 تک لایه،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن دروازه تنظیم پذیر پدیده ممریستور توسط مرز دانه در MoS2 تک لایه :
تعداد صفحات :۱۳
چکیده مقاله:
ادامه پیشرفت در محاسبات با سرعت بالا بستگی به پیشرفت در هر دو ترکیب مواد و معماری دستگاه دارد . می توان عملکرد منطقی و حافظه را به طور قابل توجهی با معرفی یک ممریستور (مقاومت حافظه دار ) که یک دستگاه دو ترمیناله با مقاومت داخلی که بستگی به ولتاژ بایاس خارجی دارد مشخص کرد . حالتی از ساخت ممریستور ، براساس فلز – عایق- فلز (MIM)metalinsulatormetal سازه هایی با اکسید عایق مانند TiO2 است . در اینجا ، گزارش یک نوع ممریستور جدید بر اساس مرز دانه در دستگاه های تک لایه MoS2 را می دهد . به طور خاص، مقاومت مرز دانه در حال پیدایش از اتصال ها می تواند به راحتی و مکررا با نسبت سوئیچنگ بالا تقریبا ۱۰۳ و مقاومت دیفرانسیل منفی پویا مدوله شود . در این کار ، ممریستور از فیلم های MoS2 تک لایه و رشد بر روی بسترهای اکسید سیلیسیم ( SiO2 و ۳۰۰ نانومتر) توسط رسوب شیمیایی بخار (CVD)chemical vapor deposition گوگردزدایی از فیلم MoO3 ساخته شد .
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
