لایه نشانی و ارزیابی اثر ضخامت لایه نازک کربن شبه الماسی برعملکردسلولهای خورشیدی سیلیکونی

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 لایه نشانی و ارزیابی اثر ضخامت لایه نازک کربن شبه الماسی برعملکردسلولهای خورشیدی سیلیکونی دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد لایه نشانی و ارزیابی اثر ضخامت لایه نازک کربن شبه الماسی برعملکردسلولهای خورشیدی سیلیکونی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی لایه نشانی و ارزیابی اثر ضخامت لایه نازک کربن شبه الماسی برعملکردسلولهای خورشیدی سیلیکونی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن لایه نشانی و ارزیابی اثر ضخامت لایه نازک کربن شبه الماسی برعملکردسلولهای خورشیدی سیلیکونی :

تعداد صفحات :۵

چکیده مقاله:

در این تحقیق به منظور بررسی اثر پوشش ضدبازتاب کربن شبه الماسی بر بازدهی سلولهای خورشیدی پلی کریستال ۵۵۸ ،۲۴۸ ، از پوشش ضد بازتاب کربن شبه الماسی استفاده شد. لایه نازک کربن شبه الماسی با ضخامتهای ۰۸ P نوعو ۱۸۲۰ نانومتر به وسیله تکنیک رسوب شیمیایی از فاز بخار تقویت شده به کمک پلاسممای فرکمانر رادیویی و با استفاده از مخلوط گازهای متان و هیدروژن بر زیرلایههای سیلیکونی لایه نشانی شد. به منظور ارزیابی امر ضخامتپوشش بر بازدهی سلولها از دستگاه شبیه ساز خورشیدی استفاده شد. نتایج نشان داد با افزایش پوشش بازدهی ۸ نانومتر و طیف – در محدوده طول موج ۱۱۸۸ I-V meter نمونهها کاهش پیدا میکند. نتایج حاصل از دستگاههای در محدوده UV-VIS-NIR سنجی cm 1 388-1188 نشان داد با افشایش ضخامت پوشش میزان عبور نور و درصد بازتاب نور از سطح سلولها کاهش پیدا میکند که این امرمنجر به کاهش بازدهی سلولها میشود