شبیه سازی مدل ساختاری ناهمگون اثر میدان، با استفاده از کرنش دومحوری در کانال کوتاه

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 شبیه سازی مدل ساختاری ناهمگون اثر میدان، با استفاده از کرنش دومحوری در کانال کوتاه دارای ۱۴ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد شبیه سازی مدل ساختاری ناهمگون اثر میدان، با استفاده از کرنش دومحوری در کانال کوتاه  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی شبیه سازی مدل ساختاری ناهمگون اثر میدان، با استفاده از کرنش دومحوری در کانال کوتاه،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن شبیه سازی مدل ساختاری ناهمگون اثر میدان، با استفاده از کرنش دومحوری در کانال کوتاه :

تعداد صفحات :۱۴

چکیده مقاله:

شبیهسازی، مدل ساختاری ناهمگون، اثر میدان، کرنش دومحوری، کانال کوتاه S-FED سبب بهبود مشخصه های الکتریکی افزاره خواهد شد. هدف پژوهش حاضر، شبیهسازی مدل ساختاری ناهمگون اثر میدان، با استفاده از کرنش دومحوری در کانال کوتاه به منظور بهبود جریان حالت روشن در ساختار اتصالات کناری اثر میدان بوده است. شبیهسازیهای عددی انجام شده با نرمافزارهای شبیهساز افزاره مانند ISE-TCADو Silvaco-ATLAS روش تحقیق در این پژوهش بوده است. برای نمایش بهتر خروجی نرمافزارهای شبیه ساز افزاره در MATLABبازنمایی شدند. برای اعتبارسنجی، نتایج حاصل شده با نتایج قبلی که توسط دیگران در پایگاه داده IEEE گزارش شده است، مقایسه گردید. نتایج بررسیهای انجام شده در این پژوهش نشان میدهد که در سیلیکان تحت کرنش، زیر Gate1بهبود نسبی قابلیت حرکت برای الکترون و حفره حاصل شده است، اگرچه زیر Gate2 قابلیت حرکت الکترون و حفره کاهش یافته است. در سیلیکان تحت کرنش، بهبود قابلیت حرکت زیر Gate1را می توان به کرنش و کاهش قابلیت حرکت زیر Gate2را می توان به اثرات ولتاژ گیت بالا نسبت داد. علاوه بر این قابلیت حرکت برای الکترون و حفره در لایه Si0.6Ge0.4نسبت به ساختار S-FEDافزایش یافته است.