۶.۳nW Ring Oscillator–Based CMOS Temperature Sensor for RFID Tags and VLSI Chips


در حال بارگذاری
14 سپتامبر 2024
فایل ورد و پاورپوینت
2120
4 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 6.3nW Ring Oscillator–Based CMOS Temperature Sensor for RFID Tags and VLSI Chips دارای ۱۲ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد ۶.۳nW Ring Oscillator–Based CMOS Temperature Sensor for RFID Tags and VLSI Chips  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی ۶.۳nW Ring Oscillator–Based CMOS Temperature Sensor for RFID Tags and VLSI Chips،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد


بخشی از متن ۶.۳nW Ring Oscillator–Based CMOS Temperature Sensor for RFID Tags and VLSI Chips :

تعداد صفحات :۱۲

چکیده مقاله:

Temperature measurement is an increasingly important task in modern microprocessors and other digital circuits. In this paper, a ring oscillator-based CMOS temperature sensor to achieve a high thermoelectric sensitivity with nano-watt power consumption for RFID applications is introduced. A ring oscillator’s delay dependence on temperature gives a convenient way to measure temperature of a chip. Temperature dependence of the threshold voltage and carrier mobility of MOS transistors exhibits a dependence of oscillation frequency on junction temperature, and embedding this simple circuit inside any VLSI chip and in conjunction with a counter is a way for efficient and highly accurate temperature measurement. The system design as well as the circuit implementation in standard 0.18m CMOS technology is discussed in details. A bias current generator is used to control the bias current of a high-frequency oscillator circuit, which entails maximization of temperature sensitivity and dynamic range, power consumption reduction and furthermore, by incorporation with stacked transistor insures process variation compensation. Simulated results with Cadence indicated that proposed temperature sensor at supply voltage of 0.3V has a resolution of 0.5C/LSB with a 10-bit digital output code over a temperature range of 0C to 70C. At 66Hz sampling rate, the proposed sensor consumes 6.3nW.

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.