ترانزیستور اثر میدانی تونلی مبتنی بر نانو لوله ی کربنی با همپوشانی ناحیه گیت – درین و کاشت هاله در ناحیه کانال : یک ساختار جدید برای ارتقای عملکرد کاشت هاله در ناحیه کانال : یک ساختار جدید برای ارتقای عملکرد

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 ترانزیستور اثر میدانی تونلی مبتنی بر نانو لوله ی کربنی با همپوشانی ناحیه گیت – درین و کاشت هاله در ناحیه کانال : یک ساختار جدید برای ارتقای عملکرد کاشت هاله در ناحیه کانال : یک ساختار جدید برای ارتقای عملکرد دارای ۱۳ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد ترانزیستور اثر میدانی تونلی مبتنی بر نانو لوله ی کربنی با همپوشانی ناحیه گیت – درین و کاشت هاله در ناحیه کانال : یک ساختار جدید برای ارتقای عملکرد کاشت هاله در ناحیه کانال : یک ساختار جدید برای ارتقای عملکرد  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی ترانزیستور اثر میدانی تونلی مبتنی بر نانو لوله ی کربنی با همپوشانی ناحیه گیت – درین و کاشت هاله در ناحیه کانال : یک ساختار جدید برای ارتقای عملکرد کاشت هاله در ناحیه کانال : یک ساختار جدید برای ارتقای عملکرد،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن ترانزیستور اثر میدانی تونلی مبتنی بر نانو لوله ی کربنی با همپوشانی ناحیه گیت – درین و کاشت هاله در ناحیه کانال : یک ساختار جدید برای ارتقای عملکرد کاشت هاله در ناحیه کانال : یک ساختار جدید برای ارتقای عملکرد :

تعداد صفحات :۱۳

چکیده مقاله:

برای نخستین بار، در این مقاله یک ترانزیستور اثر میدانی تونلی مبتنی بر نانو لوله ی کربنی T-CNTFET با همپوشانی ناحیه گیت – درین و کاشت هاله در ناحیه کانال پیشنهاد شده و با استفاده از روش تابع گرین غیر تعادلی NEGF خصوصیات الکتریکی افزاره شبیه سازی شده است. در این ساختار جدید ناخالصی ناحیه درین به ناحیه کانال نفوذ کرده و مقداری با گیت همپوشانی دارد و از طرف دیگر یک هاله ایی در سمت سورس ناحیه کانال قرار داده شده است، کاشت هاله جریان تونل زنی در سمت سورس را کنترل می کند و باعث می گردد و همپوشانی ناحیه گیت / درین باعث کاهش جریان حالت خاموشی (ION) افزایش جریان حالت روشنی می گردد. نشان داده شده است که در صورتی طول ناحیه همپوشانی به طور بهینه انتخاب شود به طور قابل (IOFF) توجهی عملکرد افزاره بهبود می یابد. نتایج حاصله نشان می دهد که ساختار فوق دارای جریان حالت روشنی بسیار بیشتر و جریان حالت خاموشی بسیار کمتری نسبت به ساختار متداول دارد و لذا نسبت جریان ION/IOFF را به طور قابل توجهی افزایش می دهد.. علاوه بر این ساختار پیشنهادی باعث افزایش سرعت کلیدزنی می شود ضمن آنکه اثر حامل های داغ و اثرکاهش سد با القاء درین DIBL را کاهش می دهد.