دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور تصحیح ناپایداری در ترانزیستور اثر میدانی حساس به یون (ISFET) با بهره برداری از آرایش تقویت کننده وارونگر مکمل
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
تصحیح ناپایداری در ترانزیستور اثر میدانی حساس به یون (ISFET) با بهره برداری از آرایش تقویت کننده وارونگر مکمل دارای ۱۲ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد تصحیح ناپایداری در ترانزیستور اثر میدانی حساس به یون (ISFET) با بهره برداری از آرایش تقویت کننده وارونگر مکمل کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی تصحیح ناپایداری در ترانزیستور اثر میدانی حساس به یون (ISFET) با بهره برداری از آرایش تقویت کننده وارونگر مکمل،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن تصحیح ناپایداری در ترانزیستور اثر میدانی حساس به یون (ISFET) با بهره برداری از آرایش تقویت کننده وارونگر مکمل :
تعداد صفحات :۱۲
چکیده مقاله:
ناپایداری با دریفت در یک ترانزیستور اثر میدانی حساس به یون (ISFET) بصورت یک تغییر زمانی یکسو نسبتاً کند در ولتاژ آستانه، و در نتیجه در جریان درین پدیدار می شود که در غیاب نوسانات در غلظت یون ها در محلول رخ می دهد. در این مقاله یک روش مداری برای تصحیح ناپایداری یا دریفت در ترانزیستورهای حساس به یون هیدروژن ارائه خواهد شد. این روش، با تکیه بر این مشاهده تجربی که پلاریته دریفت در ولتاژ آستانه در ISFET های کانال n- و کانال p- مخالف یکدیگر است، برای تصحیح و یا کاهش ناپایداری از یک تقویت کننده وارونگر، متشکل از یک جفت ISFET مکمل بهره می گیرد. در آرایش پیشنهادی برای تقویت کننده وارونگر گیت مشترک یک جفت ترانزیستور حساس به یون مکمل ( کانالn- و کانال p- ) در معرض محلول الکترونیکی قرار می گیرد و درین مشترک جفت مکمل خروجی حسگر را تشکیل می دهد. روش پیشنهادی بصورت تحلیلی توجیه و درستی عملکرد آن براساس نتایج شبیه سازی مدار با نرم افزار SPICE تایید شده است.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
