بررسی بی ثباتی دمایی ناشی از بایاس در فرآیندهای ساخت نانومتری

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 بررسی بی ثباتی دمایی ناشی از بایاس در فرآیندهای ساخت نانومتری دارای ۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد بررسی بی ثباتی دمایی ناشی از بایاس در فرآیندهای ساخت نانومتری  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی بررسی بی ثباتی دمایی ناشی از بایاس در فرآیندهای ساخت نانومتری،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن بررسی بی ثباتی دمایی ناشی از بایاس در فرآیندهای ساخت نانومتری :

تعداد صفحات :۹

چکیده مقاله:

کوچک-مقیاس شدن شتابان تکنولوژی، بویژه در گره های تکنولوژی کوچکتر از ۶۵nm، چالشهای قابلیت اطمینان و حفظ سطح کارایی مطلوب در طول عمر قطعات تجاری را تشدید نموده است. مهمترین دغدغه قابلیت اطمینان در فرآیندهای نانومتری نوین، بی ثباتی دمایی ناشی از بایاس (BTI) است. این مقاله به بررسی این مشکل می پردازد و در فرآیندهای نانومتری با ترانزیستورهای سنتی (bulk CMOS)، ترانزیستورهای high-k/metal-gate و نیز فرآیندهای FinFET به تحلیل آن می پردازد و در نهایت روشهای مقابله با این پدیده مطرح می شوند.