شبیه سازی ترانزیستورهای تونلی مبتنی بر نانو لوله های کربنی

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 شبیه سازی ترانزیستورهای تونلی مبتنی بر نانو لوله های کربنی دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد شبیه سازی ترانزیستورهای تونلی مبتنی بر نانو لوله های کربنی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی شبیه سازی ترانزیستورهای تونلی مبتنی بر نانو لوله های کربنی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن شبیه سازی ترانزیستورهای تونلی مبتنی بر نانو لوله های کربنی :

تعداد صفحات :۸

چکیده مقاله:

تاکنون انواع مختلفی از ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله های کربنی معرفی شده اند که ترانزیستور اثر میدانی تونلی یکی از آنها است. مزیت اصلی ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی، شیب زیرآستانه مناسبی است که از خود نشان می دهند. اما جریان روشنائی کم، یکی از مشکلات کلیدی این نوع ترانزیستورها است. تاکنون روش های مختلفی برای بهبود مشخصات کیفی این ترانزیستور انجام شده است. در یکی از این روش ها که برای ترانزیستور سیلیکونی تونلی پیشنهاد شده، از یک لایه نازک n بین منطقه ذاتی کانال و ناحیه سورس استفاده شده است. در این مقاله، اثر استفاده از اضافه نمودن این لایه بر روی مشخصات ترانزیستورهای تونلی مبتنی بر نانولوله های کربنی مورد بررسی قرار می گیرد. اثر پهنای این ناحیه و میزان همپوشانی گیت بر روی آن مورد بررسی قرار خواهد گرفت. نتایج حاصل از شبیه سازی ها، اثر قابل ملاحظه این ناحیه بر مشخصات روشنائی، خاموشی و کلیدزنی افزاره مورد بررسی را نشان می دهد.