بهبود مدارات فشرده ساز در ضرب کننده ها با استفاده از ترانزیستورهای فین فت

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 بهبود مدارات فشرده ساز در ضرب کننده ها با استفاده از ترانزیستورهای فین فت دارای ۱۷ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد بهبود مدارات فشرده ساز در ضرب کننده ها با استفاده از ترانزیستورهای فین فت  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی بهبود مدارات فشرده ساز در ضرب کننده ها با استفاده از ترانزیستورهای فین فت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن بهبود مدارات فشرده ساز در ضرب کننده ها با استفاده از ترانزیستورهای فین فت :

تعداد صفحات :۱۷

چکیده مقاله:

در این مقاله کارایی مدار کمپرسور یک ساختار افزاره چند گیتی ) FinFET ( با ساختار تک گیتی سنتی ) MOSFET ) مقایسه میشود.ابتدا به مدل سازی و شبیه سازی تمام جمع کننده ۸۲ ترانزیستوری CMOS و فین فت با تکنولوژی ۲۸ نانو متر با نرم افزار HSpice پرداختیم؛سپس اقدام به شبیه سازی فشرده ساز ۲:۸ با استفاده از طرح پیشنهادیمان کردیم و برای مقایسه بهتر فشرده ساز ۲:۸ را با استفاده از ترانزیستورهای ماسفت نیز پیاده سازی نمودیم و مشاهده شد کهفشرده ساز ۲:۸ پیشنهادی مبتنی بر فین فت از علمکرد بالایی نسبت به نمونه CMOS برخوردار بوده و در عین حال بطور چشمگیری تعداد ترانزیستورها کاهش یافته است.