افزایش قابلیت جذب انرژی وریستورهای اکسیدروی باتغییرجهت زینترینگ

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 افزایش قابلیت جذب انرژی وریستورهای اکسیدروی باتغییرجهت زینترینگ دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد افزایش قابلیت جذب انرژی وریستورهای اکسیدروی باتغییرجهت زینترینگ  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی افزایش قابلیت جذب انرژی وریستورهای اکسیدروی باتغییرجهت زینترینگ،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن افزایش قابلیت جذب انرژی وریستورهای اکسیدروی باتغییرجهت زینترینگ :

تعداد صفحات :۸

چکیده مقاله:

وریستورهای اکسیدروی سرامیک های نیمه رسانا میباشند که دارای خصوصیات الکتریکی غیرخطی هستند که ناشی ازمرز دانه ها و ریزساختاروریستوری آنها است دراین مقاله به مطالعه تاثیر جهت زینترینگ وریستورهای اکسید روی برروی خواص الکتریکی آنها می پردازیم تغییر جهت زینترینگ منجر به تغییر حفره های داخلی و غلظت دهنده ها درمرزدانه میگردد که موجب بهبود خواص الکتریکی و مکانیکی وریستوراکسیدروی درقسمت تحتانی آن می شود قابلیت اطمینان عملکرد وریستورهای اکسیدروی به شدت وابسته به قابلیت جذب انرژی وریستور می باشد با تغییر جهت زینترینگ وریستور قابلیت جذب انرژی آنها بهشدت افزایش می یابد پس ازاندازه گیری مشخصات الکتریکی مشاهده میگردد که بهترین مشخصات الکتریکی وریستور مربوط بهوریستورهایی با جهت زینترینگ افقی است چرا که وریستور دراین حالت به هنگام زینترینگ کمترین سطح تماس را بانگه دارنده خود دارد