مقاله بررسی تأثیر هدایت الکتریکی و عمق آبخوان بر روی داده های تشدید مغناطیسی پروتون
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله بررسی تأثیر هدایت الکتریکی و عمق آبخوان بر روی داده های تشدید مغناطیسی پروتون دارای ۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله بررسی تأثیر هدایت الکتریکی و عمق آبخوان بر روی داده های تشدید مغناطیسی پروتون کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی تأثیر هدایت الکتریکی و عمق آبخوان بر روی داده های تشدید مغناطیسی پروتون،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله بررسی تأثیر هدایت الکتریکی و عمق آبخوان بر روی داده های تشدید مغناطیسی پروتون :
تعداد صفحات:۹
چکیده:
سونداژ تشدید مغناطیسی (MRS) یا تشدید مغناطیسی پروتون (PMR) یک تکنیک نسبتاً جدید ژئوفیزیکی است که بطور خاص برای کاربردهای هیدروژئولوژی و برآورد مستقیم خصوصیات هیدرولیکی خاک ها، آبخوان ها و مخازن زیر سطحی طراحی شده است. این روش مبتنی بر اصل تشدید مغناطیسی هسته ای (NMR) بوده و آب های آزاد نفوذی در زیر سطح زمین را هدف قرار می دهد و با شناسائی مولکول آب آزاد درون حفره ها به طور مستقیم، دو پارامتر مهم پتروفیزیکی سازندهای زیر سطحی، یعنی تخلخل و تراوایی (میزان آب آزاد) را بصورت مستقیم اندازه گیری می کند. هدف از انجام این تحقیق معرفی روش فوق و بررسی اثر هدایت الکتریکی و عمق آبخوان بر روی پاسخ های NMR سطحی حاصل از طریق مدل سازی پیشرو می باشد.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.