مقاله طراحی آپ امپ به منظور افزایش پایداری در تکنولوژی۳۲CMOS نانو

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله طراحی آپ امپ به منظور افزایش پایداری در تکنولوژی۳۲CMOS نانو دارای ۱۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله طراحی آپ امپ به منظور افزایش پایداری در تکنولوژی۳۲CMOS نانو  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله طراحی آپ امپ به منظور افزایش پایداری در تکنولوژی۳۲CMOS نانو،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله طراحی آپ امپ به منظور افزایش پایداری در تکنولوژی۳۲CMOS نانو :

تعداد صفحات:۱۶
چکیده:
آپ امپ ها در کارهای تحقیقاتی و صنعتی کاربردهای بسیاری دارند. همانطور که در مدارهای منطقی، گیت های NAND وNOR سنگ بنای تمام مدارهای دیجیتال هستند، می توان آپ امپ ها را سنگ بنای اکثر مدارهای آنالوگ دانست. با توجه به اینکه در سیستم های فیدبکی حد فاز ،حد بهره و پهنای باند از پارامتر های مهم و مورد بحث بوده ودر حال حاضر این پارامتر ها مشکلاتی برای سیستم های موجود ایجاد نموده اند، برای جبران این مشکلات می توان از جبران کننده در مدارات فیدبک تقویت کننده های عملیاتی استفاده کرد. در این روش ابتدا یک مدل مناسب از تقویت کننده های عملیاتی به دست آورده و سپس صفر ها و قطبهای این تقویت کننده را از روی مدل بدست آمده مشخص کرده و سپس براساس محاسبه پهنای باند ، حد فاز، حد بهره، صفر و قطب مناسب را جهت ایجاد پهنای باند بهتر و افزایش حد فاز با این سیستم مدل سازی می شود. با توجه به صفرها و قطبهای به دست آمده یک مدل مناسب برای جبران کننده به وجود آورده و به تقویت کننده عملیاتی اضافه می گردد. در این مقاله، یک تقویت کننده عملیاتی با استفاده از پروسه nm32CMOS ، ارائه و شبیه سازی شده است. این تقویت کننده با استفاده از منبع تغذیه ۹/۰ ولت کار می کند و مناسب جهت استفاده در کاربردهای با ولتاژ کم است. سپس با بررسی شبیه سازی های صورت گرفته دیده می شود این آپ امپ از پایداری خوبی برخوردار بوده و دارای حاشیه فاز ۶۷ درجه و فرکانس بهره واحد ۱۱ گیگا هرتز است. همچنین زمان نشست در این آپ امپ در حدود ۸۰ پیکو ثانیه و نویز در حدود µs25 به دست می آید.