دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله مدلسازی دو بعدی پتانسیل کانال در ترانسیستورهای ماسفت دو گیتی متقارن کانال کوتاه در حضورحاملهای بار متحرک کانال
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله مدلسازی دو بعدی پتانسیل کانال در ترانسیستورهای ماسفت دو گیتی متقارن کانال کوتاه در حضورحاملهای بار متحرک کانال دارای ۱۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله مدلسازی دو بعدی پتانسیل کانال در ترانسیستورهای ماسفت دو گیتی متقارن کانال کوتاه در حضورحاملهای بار متحرک کانال کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله مدلسازی دو بعدی پتانسیل کانال در ترانسیستورهای ماسفت دو گیتی متقارن کانال کوتاه در حضورحاملهای بار متحرک کانال،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله مدلسازی دو بعدی پتانسیل کانال در ترانسیستورهای ماسفت دو گیتی متقارن کانال کوتاه در حضورحاملهای بار متحرک کانال :
تعداد صفحات:۱۶
چکیده:
بادرنظرگرفتن اثرات حاملهای متحرک براساس تابع توزیع ماکسول بولتزمن و معادله پواسون یک بعدی معادله دیفرانسیل برای توزیع بارالکتریکی درون کانال ترانزیستور ماسفت دوگیتی بدست می آید ازحل این معادله رابطه ای تحلیلی برای پتانسیل یک بعدی کانال درامتداد مسیرعمود برکانال بدست می آید سپس با استفاده ازروش تحلیل مدناپایداربه همراه تقریب سهمی پتانسیل کانال ترانزیستور دردو بعد محاسبه میشود براساس این روش پتانسیل بامجموع دومولفه یک بعدی و دوبعدی بیان میشود مولفه یک بعدی همان مولفه محاسبه شده درجهت عمود برکانال با درنظرگرفتن حاملهای متحرک است مولفه دوبعدی ازحل معادله لاپلاس دوبعدی بدست می آید و اثرات میدان افقی رادرکانال درنظر میگیرد ازآنجا که اثرحاملهای متحرک درمعادله پواسون وارد شده است رابطه پتانسیل به دست آمده برای همه شرایط کاری ترانزیستورزیراستانه تاتخلیه صادق است ودرتمام نقاط کانال معتبر بوده و به پتانسیل نواحی خاص مانند سطح و مرکزوابسته نمی باشد
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
