مقاله مطالعه تاثیر ضخامت بر ویژگی های الکتریکی دیودهای شاتکی نقره/سیلیکون ساخته شده به روش تبخیر حرارتی

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله مطالعه تاثیر ضخامت بر ویژگی های الکتریکی دیودهای شاتکی نقره/سیلیکون ساخته شده به روش تبخیر حرارتی دارای ۱۰ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله مطالعه تاثیر ضخامت بر ویژگی های الکتریکی دیودهای شاتکی نقره/سیلیکون ساخته شده به روش تبخیر حرارتی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله مطالعه تاثیر ضخامت بر ویژگی های الکتریکی دیودهای شاتکی نقره/سیلیکون ساخته شده به روش تبخیر حرارتی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله مطالعه تاثیر ضخامت بر ویژگی های الکتریکی دیودهای شاتکی نقره/سیلیکون ساخته شده به روش تبخیر حرارتی :

تعداد صفحات:۱۰
چکیده:
در این پژوهش، سه دیود شاتکی نقره/ سیلیکون با انباشت ۳ لایه نازک نقره به ضخامت های ۳۶۰،۳۰۰ و ۴۰۰ نانومتر برروی زیرلایه سیلیکون نوع -P با جهت کریستالی ( ۱۰۰ ) به روش تبخیر حرارتی و یک لایه آلومینیوم با ضخامت ۱۲۰ نانومتر بر پشت هرزیرلایه به روش کند وپاش جریان مستقیم ساخته شده است. پارامترهای اصلی دیود شامل: فاکتور ایده آلn مقاومت متوالی Rs وسدپتانسیل b برای هر یک از دیود های ساخته شده با استفاده از دو روش آنالیز جریان- ولتاژ و توابع چونگ محاسبه شدند.برای هریک از سه ضخامت ۳۰۰,۳۶۰ و ۴۰۰ نانومتر مقادیر فاکتور ایده آل و سد پتانسیل از آنالیز جریان- ولتاژ به ترتیب برابر۳/۸,۰/۶۳ev و۲/۰۵۸و۰/۷۰ev,1/01,0/73ev وباتوابع چونگ به ترتیب برابر ۳/۴۶و۰/۶۳evو۲/۴۲و۰/۷۰evو۰/۷۳و۰/۸۲ev بدست آمده است. همچنین مقدار مقاومت متوالی بطور میانگین از توابع چونگ برای هریک از سه ضخامت ۳۰۰و۳۶۰و۴۰۰نانومتر به ترتیب برابر ۰۷و۵۳و۱۰/۲اهم ح اصل شد مقایسه مقادیر بدست آمده از توابع چونگ و نمودارهای حاصل از آنالیز جریان- ولتاژ نشان داده است که با افزایش ضخامت سدپتانسیل دیود شاتکی افزایش یافته و از مقدار مقاومت متوالی دیود کاسته شده است که در نتیجه دیود ایده آل تری تشکیل شده است