مقاله اثر کاهش سد درین در ماسفت های گالیم نیتراد

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله اثر کاهش سد درین در ماسفت های گالیم نیتراد دارای ۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله اثر کاهش سد درین در ماسفت های گالیم نیتراد  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله اثر کاهش سد درین در ماسفت های گالیم نیتراد،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله اثر کاهش سد درین در ماسفت های گالیم نیتراد :

تعداد صفحات:۹
چکیده:
در این مقاله یک مدل تحلیلی از ماسفت گالیم نیتراید برای تعیین رفتارDIBLتوسعه داده شده است. این مدل تحلیلی ، ولتاژ آستانه را برای قطعه کانال کوتاه ، به نسبتL/a ترکیب می کند. به درین، ولتاژVDS را اعمال کرده وnd تشکیل می گردد که پایه ای برای طراحی مدار و قطعات کانال کوتاه می باشد. این مدل، همچنین شامل معادله پوازون ۴ می باشد تا به دقت ناحیه الکتریکی در قسمت درین و اثرات diblراتعریف کند مدل DIBL درقطعات MOS برای درک اثرDIBL دستگاه های CMOS کانال کوتاه توسعه داده شده است تا کنون هیچ مدل تئوری برای ماسفت های با شکاف انرژی بزرگتر ارائه نشده است. این مدل تحلیلی، برای توسعه قطعاتMOSFETوMESFETدر مقیاس های نانو، در آینده مفید است.