مقاله اثر لایه های کم اثر پذیر در مشخصه های رشته AlGaInP موج بر دیودهای لیزری

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله اثر لایه های کم اثر پذیر در مشخصه های رشته AlGaInP موج بر دیودهای لیزری دارای ۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله اثر لایه های کم اثر پذیر در مشخصه های رشته AlGaInP موج بر دیودهای لیزری  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله اثر لایه های کم اثر پذیر در مشخصه های رشته AlGaInP موج بر دیودهای لیزری،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله اثر لایه های کم اثر پذیر در مشخصه های رشته AlGaInP موج بر دیودهای لیزری :

تعداد صفحات:۹
چکیده:
ما در این مقاله اثر ساختار کم اثرپذیر بودن را در حالت توزیع بصری و مشخصه های رشته لبه موج بر در جهت خارج کردن AlGaInP–GaInP در دیودهای لیزری مرئی (LDs) را بررسی می کنیم. برای تکرارهای متعد تک لایه (Si(3)N(4 یا (SiO(2 کم اثر پذیر هستند. اختلاف جانبی در میدان نزدیک به آن متوقف می شود و در سطح افقی دور از میدان (FF) پراکنده می شود و با تغییر ضخامت لایه دی الکتریک معین می شود. لایه نازک کم اثر پذیر جذب بالایی را در رابط فلزی متحمل می شود، در حالیکه ضخامت کم اثر پذیر اتلاف گرمای ضعیفی را در رشته موج بر و پراکندگی اتلاف را متحمل می شود که نتیجه آن در حد نهایی بالا است. ما یک طرح جدید را از چندین لایه (A12O(3/Ta(2)O(5 سه جفتی در پرده های نازک بصری بشکل کم اثر پذیر در رشته موج بر را پیشنهاد می دهد که می تواند مشخصات لیزری و اتلاف گرمایی را بهبود بخشد. جریان حد نهایی (Ith) در دو اتاق سنجیده شده است و درجه حرارت مشخصه ((۴۴۵ mA (T(0 با زاویه واگرایی ۱۶۴ درجه می باشد.