مقاله بستگی اثرات خودگرمایی به زاویه دیواره گیت با سطح افقی در افزاره های AlGaN/GaN HEMT با گیت V- شکل

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله بستگی اثرات خودگرمایی به زاویه دیواره گیت با سطح افقی در افزاره های AlGaN/GaN HEMT با گیت V- شکل دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بستگی اثرات خودگرمایی به زاویه دیواره گیت با سطح افقی در افزاره های AlGaN/GaN HEMT با گیت V- شکل  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بستگی اثرات خودگرمایی به زاویه دیواره گیت با سطح افقی در افزاره های AlGaN/GaN HEMT با گیت V- شکل،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بستگی اثرات خودگرمایی به زاویه دیواره گیت با سطح افقی در افزاره های AlGaN/GaN HEMT با گیت V- شکل :

تعداد صفحات:۵
چکیده:
در این مقاله تأثیر خود گرمایی بر مشخصه جریان- ولتاژ افزار، AlGaN/GaN HEM با گیت V- شکل مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج این بررسی نشان می دهند، خودگرمایی افزاره به شدت تحت تأثیر میدان الکتریکی در ساختار افزاره می باشد. اغلب به منظور کاهش اثرات خودگرمایی در افزاره از تغییرات زاویه ی دیواره گیت استفاده می شود. در افزار AlGaN/GaN HEM چگونگی تأثیر استفاده از این تغییرات بر رفتار گرمایی مورد بررسی قرار گرفته است. با توجه به نتایج شبیه سازی مشخص شده است که انتشار گرما در مکان هایی که میدان الکتریکی کاهش یافته است کمتر می باشد.