دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله بهینه سازی متغیرهای فرآیند تولید و ریز ساختار هگزافریت استرانسیوم، جانشین شده با Co2+-La3 در راستای ارتقا خواص مغناطیسی
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله بهینه سازی متغیرهای فرآیند تولید و ریز ساختار هگزافریت استرانسیوم، جانشین شده با Co2+-La3 در راستای ارتقا خواص مغناطیسی دارای ۱۷ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله بهینه سازی متغیرهای فرآیند تولید و ریز ساختار هگزافریت استرانسیوم، جانشین شده با Co2+-La3 در راستای ارتقا خواص مغناطیسی کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بهینه سازی متغیرهای فرآیند تولید و ریز ساختار هگزافریت استرانسیوم، جانشین شده با Co2+-La3 در راستای ارتقا خواص مغناطیسی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله بهینه سازی متغیرهای فرآیند تولید و ریز ساختار هگزافریت استرانسیوم، جانشین شده با Co2+-La3 در راستای ارتقا خواص مغناطیسی :
تعداد صفحات:۱۷
چکیده:
در تحقیق حاضر ، بهبود خواص مغناطیسی قطعات هگزافریت استرانسیوم با ساختار مگنتو پلمبیت ( نوع M) که با یونهای لانتانیوم و کبالت جانشین شده و به روش معمول سرامیکی تهیه گردیده اند، مورد بحث و بررسی قرار گرفته است. در طی بررسی های فوق، تا ثیر دمای پخت اول و دوم، تاثیر نسبت مقدار مولی اکسید آهن به اکسید استرانسیوم، مقدار مولی مناسب لانتانیوم و کبالت (x,y) به همراه نسبت مناسب آنها (x/y) در هگزا فریت استرانسیوم جانشین شده با فرمول (Sr1-x La x Fe 12-y Co y O19) مورد ارزیابی قرار گرفت. جهت بهینه سازی خواص مغناطیسی (Hcj و Br) محدوده ی دمای پخت اولیه بین ۱۲۰۰ درجه سانتیگراد تا ۱۲۶۰ درجه سانتیگراد و دمای پخت نهایی نیز بین ۱۱۸۰ درجه سانتیگراد تا ۱۲۳۰ درجه سانتیگراد در نظر گرفته شد. همچنین تغییرات در مقدار n (نسبت مولی اکسید آهن به اکسید استرانسیوم) در فرمول (SrO . n Fe2O3) به صورت متغیر و مابین ۵/۶ تا ۶ با گام ۰/۲ مقدار اندازه ی دانه نیز از ۰/۷۵ میکرون تا ۱/۱ میکرون در نظر گرفته شد. نتایج بررسی های ریز ساختاری، آنالیز فازی و خواص مغناطیسی نشان داد با بکارگیری دمای پخت اولیه ۱۲۴۰ درجه سانتیگراد و دمای پخت نهایی ۱۱۸۰ درجه سانتیگراد و (x= y=0/15) و (x= y=0/75) و (n=5/8) خواص مغناطیسی بهینه به شرح زیر و قابلیت تکرار پذیری مناسب حادث می گردد. Br: 4013 (Gs), Hcj: 4278 (Oe), (Hk/Hcj) : 82
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
