مقاله مدلسازی OpenMXساختار نواری نیمه رساناهایSi1-xAsx

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله مدلسازی OpenMXساختار نواری نیمه رساناهایSi1-xAsx دارای ۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله مدلسازی OpenMXساختار نواری نیمه رساناهایSi1-xAsx  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله مدلسازی OpenMXساختار نواری نیمه رساناهایSi1-xAsx،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله مدلسازی OpenMXساختار نواری نیمه رساناهایSi1-xAsx :

تعداد صفحات:۹
چکیده:
در این پروژه، خصوصیات ساختاری و الکترونی نیمه رساناهای Si1-xAsxبا استفاده از از نظریه تابعی چگالیDFT)و به کمک نرم افزار ۳۵OpenMX موردبررسی قرار گرفته است. به منظور طراحی یک مدل مناسب، ساختارهای مختلف شبکه اتمی سلیسیوم و شبکه های مختلف نیمه رساناهایSi1-xAsxدر این پروژه طراحی شده اند. در ابتدا ساختار کریستالی و شبکه وارون این ساختارها مورد بررسی قرار گرفته اند. نتایج ساختار نواری نشان می دهند که مدل ۲ اتمیسلیسیوم خالص دارای گپ غیر مستقیم با انرژی گپ ۱۱ الکترون ولت می باشند که این ساختار نواری کاما منطبق با ساختار های مشاهده شده در منابع می باشد. طراحی مدل ساختار نواری سلیسیوم خالص بسیار وابسته به طراحی تعداد اتم های شبکه می باشد، به طوری که با افزایش تعداد اتم ها، افزایش دانسیته نواری قابل مشاهده است. در ادامه ساختارهای نواری نیمه رساناهایSi1-xAsxمختلف مدل شده اند. گرچه سیلیسیوم خالص حالت نیمه رسانا دارد، با دوپ کردن اتم ناخالصی آرسنیک به زمینه، پهنای گاف انرژی کمتر و خواص نیمه رسانایی بیشتر شده است. در اثر دوپ کردن ناخالصی Asدر ساختار، گپ انرژی مستقیم می شود و کاهش انرژی گپ نیر مشاهده می شود که بیانگر افزایش قابلیت رسانایی ماده پس از اضافه شدن اتم ناخالصی است. در نمونه های با درصدزیاد دوپانت )نمونه ۰۲۵Si0.75-As انتقال به حالت رسانایی مشاهده شده است