مقاله لیزر نیمه هادی پلیمرهای کاربید سیلیکون (۶H-SiC، ۳C-SiC and 4H-SiC6) : اثرات خودگرمایی

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله لیزر نیمه هادی پلیمرهای کاربید سیلیکون (۶H-SiC، ۳C-SiC and 4H-SiC6) : اثرات خودگرمایی دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله لیزر نیمه هادی پلیمرهای کاربید سیلیکون (۶H-SiC، ۳C-SiC and 4H-SiC6) : اثرات خودگرمایی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله لیزر نیمه هادی پلیمرهای کاربید سیلیکون (۶H-SiC، ۳C-SiC and 4H-SiC6) : اثرات خودگرمایی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله لیزر نیمه هادی پلیمرهای کاربید سیلیکون (۶H-SiC، ۳C-SiC and 4H-SiC6) : اثرات خودگرمایی :

تعداد صفحات:۵
چکیده:
در این مقاله تاثیر خود گرمایی روی مشخصات یک لیزر دیودی بررسی شده است. در این ساختار چاه کوانتوم ۳C-SiC در میان لایه هایی از ۶H-SiC به عنوان ناحیه های روکش قرار گرفته است که می تواند به دلیل ایجاد قطب الکتریکی در بلور ها بوسیله تغییر حرارت ۶H به عنوان یک هترو ساختار نوع II و میدان الکتریکی درون ساخت با استفاده از شبیه ساز صنعتی تفسیر شود. مقاومت گرمایی برای مدل کردن اتصالات فلزی سبب افزایش دمایی در حدود ۱۴۱ کلوین بالاتر از دمای محیط در ولتاژ بایاس ۱۵ ولت می شود. همچنین، عوامل متفاوت منابع گرمایی درون ساختار بر اساس افزایش دمای شبکه شبیه سازی شده است. این مقاله نتایج مهمی از مشخصات وسیله با اساس دمای شبکه از جمله توان خروجی برحسب بایاس الکتریکی، جریان بر اساس ولتاژ و عوامل متفاوت منابع گرمایی را ارائه می دهد.