مقاله مزایای استفاده از GaN و AlN در طراحی ترانزیستور HEMT

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله مزایای استفاده از GaN و AlN در طراحی ترانزیستور HEMT دارای ۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله مزایای استفاده از GaN و AlN در طراحی ترانزیستور HEMT  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله مزایای استفاده از GaN و AlN در طراحی ترانزیستور HEMT،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله مزایای استفاده از GaN و AlN در طراحی ترانزیستور HEMT :

تعداد صفحات:۶
چکیده:
در زندگی امروزه نیمه هادی ها کاربرد فراوانی دارند. به همین دلیل تقاضای کاربردهایی با پهنای باند بالا بسیار افزایش یافته است. ازاین رو نیمه هادی های با گاف انرژی بالا جهت کاربردهای الکترونیکی با توان بالا بسیار مورد توجه طراحان قرار گرفته است. از جمله ی اینکاربردها می توان به حیطه ی الکترونیک – توان و فرستنده های مایکروویوی برای ارتباطات از راه دور و رادار اشاره کرد. به نظر می رسد (گالیوم نیتریدGaNترانزیستوری با تحرک الکترونی بالاHEMT’s) دارای ساختاری چند لایه از نیمه هادی های مرکب است و انتخاب بسیار موفقی برای کاربرد های پر قدرت، دما بالا و فرکانس بالا هستند و به دلیل داشتن گاف انرژی بالا در تکنولوژی وسایل و مواد می تواند نوید بخش باشد در این نوشتار شبیه سازی ترانزیستورAlGaN/GaN HEMTبا استفاده از نرم افزارSilvacoبرای مقادیر مختلف ولتاژ و جریان آورده شده است.