مقاله طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده امپدانس انتقالی CMOS برای مخابرات نوری با نرخ داده ۲?۵ Gb/sتوان مصرفی کم

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده امپدانس انتقالی CMOS برای مخابرات نوری با نرخ داده ۲?۵ Gb/sتوان مصرفی کم دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده امپدانس انتقالی CMOS برای مخابرات نوری با نرخ داده ۲?۵ Gb/sتوان مصرفی کم  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده امپدانس انتقالی CMOS برای مخابرات نوری با نرخ داده ۲?۵ Gb/sتوان مصرفی کم،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده امپدانس انتقالی CMOS برای مخابرات نوری با نرخ داده ۲?۵ Gb/sتوان مصرفی کم :

تعداد صفحات:۵
چکیده:
در این مقاله یک تقویت کننده امپدانس انتقالی – (TIA) برای استفاده در گیرنده مخابرات نوری ارائه گردیده است.مدار (TIA) ارائه شده بافناوری CMOS 90nm طراحی و با نرم افزار HSpice شبیه سازی شده است.تقویت کننده ی پیشنهاد شده دارای ساختار سه طبقه سورسمشترک بوده و به منظور افزایش پهنای باند از تکنیکهای (Inductive Peaking) و (Capacitive Degeneration) به طور همزمان استفاده شدهاست که پهنای باند تقویت کننده را به GHz 2/70 رسانده است. بهره ی تقویت کننده dB 66 بوده و توان مصرفی آن با یک منبع تغذیه ی یک ولتفقط w 931 می باشد که نسبت به کارهای گذشته بی نظیر است.نتایج حاکی از آن است که این تقویت کننده پیشنهادی برای استفاده درمخابرات نوری با نرخ داده ۲۵ Gb/s بسیار مناسب می باشد.