دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله مدلسازی جریان زیرآستانه ای در ترانزیستورهای ماسفت دو گیتی متقارن در حضورحاملهای بار متحرک کانال
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله مدلسازی جریان زیرآستانه ای در ترانزیستورهای ماسفت دو گیتی متقارن در حضورحاملهای بار متحرک کانال دارای ۴ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله مدلسازی جریان زیرآستانه ای در ترانزیستورهای ماسفت دو گیتی متقارن در حضورحاملهای بار متحرک کانال کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله مدلسازی جریان زیرآستانه ای در ترانزیستورهای ماسفت دو گیتی متقارن در حضورحاملهای بار متحرک کانال،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله مدلسازی جریان زیرآستانه ای در ترانزیستورهای ماسفت دو گیتی متقارن در حضورحاملهای بار متحرک کانال :
تعداد صفحات:۴
چکیده:
در این مقاله با در نظر گرفتن اثرات حاملهای متحرک ومعادله پتانسیل دوبعدی ترانزیستور ماسفت دوگیتی متقارن کانال کوتاه رابطه ای تحلیلیی بیرای جریان زیر آستانه ای این نوع ترانزیستور براساس تقریب بولتزمن به دست آمده است. رابطه ی به دست آمده به پتانسیل شبه فرمی وابسته نمی باشد
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
