دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله شبیه سازی ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله کربن در حالت غیربالستیک با استفاده از نرم افزار FETToy
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله شبیه سازی ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله کربن در حالت غیربالستیک با استفاده از نرم افزار FETToy دارای ۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله شبیه سازی ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله کربن در حالت غیربالستیک با استفاده از نرم افزار FETToy کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله شبیه سازی ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله کربن در حالت غیربالستیک با استفاده از نرم افزار FETToy،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله شبیه سازی ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله کربن در حالت غیربالستیک با استفاده از نرم افزار FETToy :
تعداد صفحات:۶
چکیده:
ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی را در شرایط بالستیک می توان با استفاده از مدل مرجعFETToy با حل خودسازمانده بین معادله پواسن و معادله انتقال بار شبیه سازی نمود. در روش فوق از اثرات جریان تونل زنی نوار به نوار صرفنظر می شود. در این مقاله با وارد نمودن جریان تونلی در نرم افزار شبیه ساز، اثر آن را بر روی جریان ترانزیستور مشاهده می کنیم. همچنین اثرات پراکندگی الاستیک و کرنش را نیز درنرم افزارFETToy وارد و اثرات آن را بر روی عملکرد افزاره مشاهده و مورد بررسی و مقایسه قرار خواهیم داد
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
