مقاله ترانزیستورهای اثر میدان کاملاً دو بعدی گرافن

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله ترانزیستورهای اثر میدان کاملاً دو بعدی گرافن دارای ۱۲ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله ترانزیستورهای اثر میدان کاملاً دو بعدی گرافن  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله ترانزیستورهای اثر میدان کاملاً دو بعدی گرافن،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله ترانزیستورهای اثر میدان کاملاً دو بعدی گرافن :

تعداد صفحات:۱۲
چکیده:
در این مقاله معرفی و مقایسه جدیدترین ساختارهای ترانزیستورهای اثر میدانی که توانائی بالائی در بهره برداری از ویژگی های منحصر به فرد گرافن دارند/ انجام شده است انالیزها در این مقاله بر اساس شبیه سازی میباشد که در مقیاس نانو معادله NANOTCAD ساختار با استفاده از شبیه سازی پایسون شرودینگر را با استفاده از تابع سبز غیر یکنواخت حل می کند و همچنین یک ترانزیستور اثر میدان کاملا دو بعدی با سدهای مختلف در ناحیه کانال با در نظر گرفتن تمام فاکتورهای موثر ازجمله برخوردها ظرفیت های خازنی پارازیت و پارامتر جهش و; شبیه سازی شده و نسبت جریان روشن به خاموش بزرگتر از ۱۰۴ دست یافته شده است همچنین برتری این ساختار نسبت به ترانزیستورهای عمودی با کانال گرافنی و ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی بررسی شده است.