مقاله A 3-ppm/°C Bandgap Voltage Reference Using MOSFETs in Strong Inversion Region


در حال بارگذاری
مقاله A 3-ppm/°C Bandgap Voltage Reference Using MOSFETs in Strong Inversion Region
11 سپتامبر 2024
فایل ورد و پاورپوینت
2120
4 بازدید
۶۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله A 3-ppm/°C Bandgap Voltage Reference Using MOSFETs in Strong Inversion Region دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله A 3-ppm/°C Bandgap Voltage Reference Using MOSFETs in Strong Inversion Region  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله A 3-ppm/°C Bandgap Voltage Reference Using MOSFETs in Strong Inversion Region،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله A 3-ppm/°C Bandgap Voltage Reference Using MOSFETs in Strong Inversion Region :

تعداد صفحات:۵
چکیده:

An accurate bandgap voltage reference (BVR) which utilizes the thermal behavior of the threshold voltage and electron mobility of NMOS transistors is presented in thispaper. The circuit is based on a well-known addition of a proportional to absolute temperature (PTAT) and complementary to absolute temperature (CTAT) references. ThePTAT circuit uses the temperature coefficient (TC) of the electron mobility and the CTAT circuit uses the TC of thethreshold voltage to generate accurate PTAT and CTAT currents. The circuit is designed in a 0.18m CMOS technology.Simulation results show a temperature coefficient (TC) of 3ppm and power supply rejection ratio (PSRR) of 77dB at DC frequency.

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.