مقاله بررسی نویز در تقویت کننده های توزیع شده با قطعه فعال MESFET و(CMOS) MOSFET

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله بررسی نویز در تقویت کننده های توزیع شده با قطعه فعال MESFET و(CMOS) MOSFET دارای ۱۰ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی نویز در تقویت کننده های توزیع شده با قطعه فعال MESFET و(CMOS) MOSFET  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی نویز در تقویت کننده های توزیع شده با قطعه فعال MESFET و(CMOS) MOSFET،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسی نویز در تقویت کننده های توزیع شده با قطعه فعال MESFET و(CMOS) MOSFET :

تعداد صفحات:۱۰
چکیده:
تقویت کننده های توزیع شده را می توان با ادوات فعالی مانند HEMT, MESFET, MOSFET, CMOS و ; پیاده سازی کرد. هر یک از این قطعات داری مشخصه های خاص مربوط به خود هستند. بررسی نویز در تقویت کننده های توزیع شده بستگی به نوع قطعه بکار گرفته شده به عنوان قطعه فعال دارد. به بیان دیگر هر قطعه فعال روابط نویزی مربوط به خود را دارا است. به همین دلیل یکی از مهمترین فاکتور ها جهت انتخاب نوع ترانزیستور در طراحی تقویت کننده های توزیع شده مسئله نویز قطعه فعال بکار گرفته شده است. در این بخش به بررسی و آنالیز مشخصه نویز تقویت کننده های توزیع شده برای ۲ قطعه فعال MESFET و (CMOS) MOSFET که بیشترین کاربرد را در تقویت کننده های توزیع شده دارند می پردازیم. ابتدا به بررسی مشخصه نویز در تقویت کننده های توزیع شده که از MESFET به عنوان قطعه فعال استفاده شده است می پردازیم و روابط و نتایج مربوط به مشخصه نویز و رفتار نویزی این تقویت کننده ها را مورد بررسی قرار می دهیم. سپس مشخصه نویز در تقویت کننده های توزیع شده که از (CMOS)MOSFET به عنوان قطعه فعال استفاده شده است می پردازیم و روابط و نتایج مربوط به مشخصه نویز و رفتار نویزی این تقویت کننده ها را مورد بررسی قرار می دهیم.