دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله طراحی یک مقایسه کننده دو بیتی با استفاده از تکنولوژی ترانزیستورهای اثرمیدانی مبتنی بر نانو لوله های کربنی
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله طراحی یک مقایسه کننده دو بیتی با استفاده از تکنولوژی ترانزیستورهای اثرمیدانی مبتنی بر نانو لوله های کربنی دارای ۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله طراحی یک مقایسه کننده دو بیتی با استفاده از تکنولوژی ترانزیستورهای اثرمیدانی مبتنی بر نانو لوله های کربنی کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله طراحی یک مقایسه کننده دو بیتی با استفاده از تکنولوژی ترانزیستورهای اثرمیدانی مبتنی بر نانو لوله های کربنی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله طراحی یک مقایسه کننده دو بیتی با استفاده از تکنولوژی ترانزیستورهای اثرمیدانی مبتنی بر نانو لوله های کربنی :
تعداد صفحات:۹
چکیده:
تکنولوژی نانو نقطه همگرایی علوم مختلف در آینده است بگونه ای که رفته رفته تمامی علوم سعی در استفاده از قطعاتی در سطح نانو می کنند. در این بین یکی از پراستفاده ترین علوم نانو الکترونیک می باشد. امروزهافزایش ظرفیت ذخیره دادهها، افزایش سرعت انتقال آن و کوچک کردن هر چه بیشتر وسائل الکترونیکی و به خصوص ترانزیستورها دارای اهمیت بسیاری است زیرا کوچک تر شدن ابعاد وسائل الکترونیکی علاوه بر افزایشسرعت پردازش، توان مصرفی را نیز کاهش می دهد و نانو الکترونیک می تواند در رسیدن به ابعاد هر چه کوچک تر راهگشا باشد. در این مقاله چهارطرح برای مدار مقایسه کننده دو بیتی ارایه شده است و از طرفی چون سرعت بالا اجرای عملیات، پایین بودن توان مصرفی و همچنینPDP پایین از مهمترین پارامترها در طراحی مدارات است لذا در طراحی هاسعی شده است که مدار را بگونه ای طراحی کرد کد از لحاظ پارامترهای مداری بهینه باشد : طرح ۱) شامل ۲۰ عدد ترانزیستور سیلیکونی و ۳ مقاومت و ۳ خازن. طرح ۲) شامل ۲۸ عدد ترانزیستور سیلیکونی و ۳ خازن. طرح ۳) شامل ۲۰ عدد ترانزیستور اثر میدانی مبتنی بر نانو لوله های کربنی و ۳ مقاومت. طرح ۴) شامل ۲۸ عدد ترانزیستور اثر میدانی مبتنی بر نانو لوله های کربنی.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
