دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله بررسی اثر تغییر گاف انرژی لایه جاذب سلول خورشیدی به کمک حل عددی معادلات نفوذ- رانش CIGS
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله بررسی اثر تغییر گاف انرژی لایه جاذب سلول خورشیدی به کمک حل عددی معادلات نفوذ- رانش CIGS دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله بررسی اثر تغییر گاف انرژی لایه جاذب سلول خورشیدی به کمک حل عددی معادلات نفوذ- رانش CIGS کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی اثر تغییر گاف انرژی لایه جاذب سلول خورشیدی به کمک حل عددی معادلات نفوذ- رانش CIGS،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله بررسی اثر تغییر گاف انرژی لایه جاذب سلول خورشیدی به کمک حل عددی معادلات نفوذ- رانش CIGS :
تعداد صفحات:۸
چکیده:
با توجه به نقش سلولهای خورشیدی به عنوان یک منبع انرژی تجدیدپذیر پایدار، در این مقاله به بررسی میپردازیم. در ابتدا روش حل عددی معادلات نفوذ-رانش برای این دسته CIGS عملکرد یک سلول خورشیدی فیلم نازک به ازای ،Ga به غلظت CIGS ساختارهای فراپیوند شرح داده میشود. همچنین با توجه به وابستگی گاف انرژی سلولهای برای دستیابی به بیشترین بازده ارائه CIGS پارامترهای سلول ترسیم میشوند و مقدار گاف انرژی سلول Ga مقادیر متفاوت میگردد. در پایان نیز مشخصه جریان- ولتاژ سلول با گاف انرژی بهینه رسم میشود.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
