دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله مدلسازی اثر ضخامت اکسید گیت روی عملکرد مداری و توان مصرفی وارونگر CMOS
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله مدلسازی اثر ضخامت اکسید گیت روی عملکرد مداری و توان مصرفی وارونگر CMOS دارای ۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله مدلسازی اثر ضخامت اکسید گیت روی عملکرد مداری و توان مصرفی وارونگر CMOS کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله مدلسازی اثر ضخامت اکسید گیت روی عملکرد مداری و توان مصرفی وارونگر CMOS،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله مدلسازی اثر ضخامت اکسید گیت روی عملکرد مداری و توان مصرفی وارونگر CMOS :
تعداد صفحات:۶
چکیده:
مدلسازی ادوات مقیاس نانو به منظور فراهم نمودن بدعتی جدید از ادوات MOS در جهت درک بهتر محدودیت های ناشی از فرایندهای مقیاس گذاری مورد نیاز است دراین مقاله با استفاده از یک مدل توده مداری ساخته شده در شبیه سازی مداری HSPICE اثرات ناشی از جریان های نشتی ایجاد شده توسط مقیاس گذاری اکسید گیت روی عملکرد مداری و توان مصرفی وارونگر CMOS نشان داده شده است.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
