مقاله شبیه سازی وارونگر با بار فعال با استفاده از Top-Contact Thin Film Transistor Pentacene براساس شبکه عصبی پرسپترون چند لایه


در حال بارگذاری
مقاله شبیه سازی وارونگر با بار فعال با استفاده از Top-Contact Thin Film Transistor Pentacene براساس شبکه عصبی پرسپترون چند لایه
10 سپتامبر 2024
فایل ورد و پاورپوینت
2120
4 بازدید
۶۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله شبیه سازی وارونگر با بار فعال با استفاده از Top-Contact Thin Film Transistor Pentacene براساس شبکه عصبی پرسپترون چند لایه دارای ۴ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله شبیه سازی وارونگر با بار فعال با استفاده از Top-Contact Thin Film Transistor Pentacene براساس شبکه عصبی پرسپترون چند لایه  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله شبیه سازی وارونگر با بار فعال با استفاده از Top-Contact Thin Film Transistor Pentacene براساس شبکه عصبی پرسپترون چند لایه،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله شبیه سازی وارونگر با بار فعال با استفاده از Top-Contact Thin Film Transistor Pentacene براساس شبکه عصبی پرسپترون چند لایه :

تعداد صفحات:۴

چکیده:

در این مقاله، شبیه سازی وارونگر با بار فعال با استفاده از Top-Contact Pentacene Thin Film Transistor بر اساس شبکه عصبی پرسپترون چند لایه انجام شده است. مدل شبکه عصبی این ترانزیستور به صورت یک زیر مدار در برنامه شبیه ساز HSPICE گنجانده شده است و نتیجه شبیه سازی مدار وارونگر با استفاده از این مدل، در مقایسه با خروجی مدار ساخته شده دارای تطابق بسیار بالایی بوده و در ادامه جهت ارزیابی و اعتبارسنجی روش پیشنهادی، شبیه سازی یک تقویت کننده نیز انجام شده که از دقت بالایی برخوردار است.

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.