مقاله شبیه سازی توپوگرافی سه بعدی سطوح به کمک اشکارسازی میدان دور یک نانو کره ی دی الکتریک به روش عددی عناصر مرزی

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله شبیه سازی توپوگرافی سه بعدی سطوح به کمک اشکارسازی میدان دور یک نانو کره ی دی الکتریک به روش عددی عناصر مرزی دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله شبیه سازی توپوگرافی سه بعدی سطوح به کمک اشکارسازی میدان دور یک نانو کره ی دی الکتریک به روش عددی عناصر مرزی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله شبیه سازی توپوگرافی سه بعدی سطوح به کمک اشکارسازی میدان دور یک نانو کره ی دی الکتریک به روش عددی عناصر مرزی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله شبیه سازی توپوگرافی سه بعدی سطوح به کمک اشکارسازی میدان دور یک نانو کره ی دی الکتریک به روش عددی عناصر مرزی :

تعداد صفحات:۵

چکیده:

دراین مقاله نخست پراکندگی موج تکفام با قطبش میدان الکتریکی عرضی توسط مجموعه ای از گره های دی الکتریک با شعاع ها، ضرایب شکست ومکانهای کاملا دلخواه در فضا بهروش عددی عناصر مرزی محاسبه شده است در ادامه برای بررسی صحت محاسباتی طرح پراش فرنل و فرانهوفری از یک کره ی دی الکتریک محاسبه شده است که نتایج به دست آمده با نتایج تحلیلی در تطابق کامل می باشد سپس با محاسبه ی میدان دور حاصل از یک نانو کره ی دی الکتریک که در حوزه ی میدان نزدیک یک سطح ناهموار قرار داده شده است نقشه ی توپوگرافی سطح در سه بعد شبیه سازی شده است فرض شده است کره ی دی الکتریک نقش نوک کاوه ی میکروسکوپ روبشی میدان نزدیک رابازی می کند و تاثیر اندازه ی قطر کره ی دی الکتریکی روبشگر در کیفیت تصویر توپوگرافی مورد بررسی قرار گرفته است دقت و سرعت بالا و حجم پایین اطلاعات محاسباتی از مزایای این روش نسبت به روشهای دیگر می باشد.