دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله بررسی جریان نشت گیت در ترانزیستورهای اثر میدان با تحرک پدیری بالای الکترونی AlGaN/GaN
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله بررسی جریان نشت گیت در ترانزیستورهای اثر میدان با تحرک پدیری بالای الکترونی AlGaN/GaN دارای ۷ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله بررسی جریان نشت گیت در ترانزیستورهای اثر میدان با تحرک پدیری بالای الکترونی AlGaN/GaN کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی جریان نشت گیت در ترانزیستورهای اثر میدان با تحرک پدیری بالای الکترونی AlGaN/GaN،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله بررسی جریان نشت گیت در ترانزیستورهای اثر میدان با تحرک پدیری بالای الکترونی AlGaN/GaN :
تعداد صفحات:۷
چکیده:
دراین مدل تحلیلی تاثیر جریان نشت گیت برروی پارامترهای سیگنال کوچک مداربادرنظرگرفتن جریانهای سطحی , جریانهای حجمی ,جریانهای تونل زنی وجریان گسیل گرمایونی درترانزیستورهای اثرمیدان ساختارهای نامتجانس بررسی شده است. نتایج تحقیق نشان می دهدباافزایش ولتاژگیت-سورس ظرفیت خازن بطورچشمگیری افزایش می یابدواین درصورتی است که پهنای ناحیه تهی کاهش یابد و با کاهش پهنای ناحیه تهی جریان نشت گیت نیز افزایش می یابد.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
